Проектирование радиоприемного устройства частотно-модулируемых сигналов, страница 17

Измерение реальной чувствительности, заданной по напряжению сигнала на эквиваленте антенны,  проводят с помощью измерительной установки, структурная схема которой приведена на рисунке 38.

Генератор вырабатывает напряжение испытательного сигнала с несущей частотой, равной частоте настройки приемника, модулированной частотой 1000 Гц с глубиной модуляции 30%.

Эквивалент антенны позволяет получить напряжения и токи на входе приемника, соизмеримые с напряжениями и токами, возникающими под воздействием на реальную внешнюю антенну сигнала, с напряженностью поля Е, с подведенным к эквиваленту антенны от ГС напряжением uгс, равным напряженности поля, умноженной на действующую длину данной антенны hд, т.е. uгсhд.

Узкополосный полосовой фильтр, настроенный на частоту модуляции 1000 Гц, необходим для выделения напряжения испытательного сигнала.

Широкополосный полосовой фильтр (280…14000 Гц) применяют для выделения напряжения шумов в полосе пропускания приемника. Параметры фильтра: затухание полосы пропускания на частотах, отличающихся на пол-октавы, не менее 30 дБ, на одну октаву – не менее 50 дБ.

Вольтметр квадратичного типа служит для измерения напряжения шума. Полоса пропускания вольтметра 20…20000 Гц.

Рис.38. – Структурная схема установки для измерения чувствительности приемников

Измерения проводят в такой последовательности. Настраивают генератор сигнала на измеряемую частоту и формируют испытательный сигнал, устанавливая его напряжение равным нормированной реальной чувствительности приемника. Настраивают приемник на частоту генератора и устанавливают усиление, обеспечивающую номинальную выходную мощность сигнала. При этом регуляторы тембра высоких и низких частот должны находиться в положении “Максимум” или в положении, обеспечивающем заданную неравномерность частотной характеристики. Регулятор или клавиша “РП-стерео” должны находиться в положении “РП-широкая”. Напряжение генератора изменяют ступенями по 5…10 дБ, начиная с минимального. На каждой ступени измеряют напряжение выходного сигнала Uс, подключая к сопротивлению нагрузки приемника переключателем (положение 1) полосовой фильтр, пропускающий частоту модуляции сигнала. Затем переключатель ставят в положение 2, выключают модуляцию генератора и измеряют напряжение шума Uш. По полученным данным строят график зависимости отношения Uс/ Uш от напряжения на входе приемника Uвх.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Разработанное радиоприемное устройство ЧМ – сигналов удовлетворяет требованиям технического задания. Приемник обеспечивает заданную чувствительность, избирательность по соседнему и зеркальному  каналам. Применяемая элементная база позволяет использовать приемное устройство в заданном интервале температур.

ЛИТЕРАТУРА.

1.  Белкин М.К. и др. Справочник по учебному проектированию приемно-усилительных устройств. / Белкин М.К., Белинский В.Т., Мазор Ю.Л., Терещук Р.М. – Киев: Вища школа, 1982. – 447с.

2.  Богданович Б.М. ,Окулич Н.И. радиоприемные устройства. – Минск: Высшая школа. 1991. – 428с.

3.  Проектирование радиоприемных устройств / Под ред. А.П.  Сиверса. Учебное пособие для вузов. – М.: Сов. Радио, 1976. – 488с.

4.  Головин О.В. радиоприемные устройства. – М.: Высшая школа, 1997. – 384с.

5.  Горшелев В.Д. и др. Основы проектирования радиоприемников. ./ Горшелев В.Д., Красноцветова З.Г., Федоров Б.Ф. – Ленинград: Энергия, 1977. – 384с.

6.  Буга Н.Н. и др. Радиоприемные устройства: Учебное пособие для вузов / Н.Н. Буга, А.И. Фалько, Н.И. Чистяков. – М.: Радио и связь. 1986. – 320с.

7.  Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник / Под общ. Ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергоиздат. 1983. – 904с.

8.  Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры. Справочник , 2-е издание / Д.И. Атаев, В.А. Болотников. – М.: изд. МЭИ. 1993. – 240с.

Приложение А.

Расчет параметров транзистора КТ368А.

Справочные данные на транзистор КТ368А [7]:

1) ток коллектора максимальный IКmax , мА                                 60;

2) постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора τк, псек                                    30;

3) граничная частота транзистора fгр, МГц                                   1;

4) модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора в схеме с ОЭ |h21э|,                                                                                         50…300;

5) емкость коллекторного перехода Ск, пФ                                 3;

6) параметр ξ                                                                                   1,5.

Расчет параметров транзистора производится по формулам приведенным [2, стр.113].

Статический коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ:

.

Параметр γгр (на fmax):

.

Коэффициент передачи тока эмиттера:

.

Активное сопротивление эмиттерного перехода и базы rэ и r’б:

.

Граничная частота крутизны характеристики в схеме с ОЭ:

.

Параметр γs (на fmax):

.

Постоянная времени τβ, составляющая fгр :

.

Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ на низкой чатоте:

Y – параметры транзистора (на fmax):

;

;

;

.

Активные проводимости и емкости транзистора(на fmax):

;

;

.

Входная емкость транзистора:

.

Приложение Б.

Параметры микросхем К174ПС1 и К174ХА6

Электрические параметры ИМС К174ПС1 [8]:

1) ток потребления Iпот, мА                                           не более 2,5;

2) крутизна преобразования Sпр, мА/В                         не более 4,5;

3) коэффициент шума Кш, дБ                                       не более 8;

4) верхняя граничная частота fвгр, МГц                        200;

5) напряжение питания Uп, В                                        4…15;

6) коэффициент гармоник kГ, %                                   не более 1;

Электрические параметры ИМС К174ХА6 [8]:

1) ток потребления Iпот, мА                                           не более 1,6;

2) входное напряжение ограничения Uвх огр, мкВ        100;

3) коэффициент гармоник kГ, %                                   не более 1;

4) напряжение питания Uп, В                                        4,5…18.