Интегральные микросхемы. Технология производства цифровых микросхем

Страницы работы

Содержание работы

Интегральные микросхемы

ВВЕДЕНИЕ

1июля 1948 года,  на следующий день после того, как фирма "Белл телефон лабораториз" объявила об изобретении нового прибора - транзистора, только газета "Нью-Йорк таймс" откликнулась на это событие [1]. Однако оно имело революционный характер для дальнейшего бурного развития радиоэлектроники.

Первыми, воспользовавшимися замечательными качествами "малютки", были производители слуховых аппаратов. Первый транзисторный слуховой аппарат вышел в 1953 году. Также стремительно отреагировали на новый прибор и военные - использование транзисторов вместо электронных ламп приводило к резкому снижению веса и габаритов радиоэлектронных приборов.

Помимо военных новый прибор ждали и разработчики электронных вычислительных машин. Ведь первая ЭВМ "Эниак-15", предназначенная для расчетов американского атомного проекта и вступившая в строй в феврале 1945 года покажется сейчас мастодонтом - компьютер содержал 18 тысяч радиоламп, занимал помещение в 135 м2 , весил 30 тонн и потреблял 135 киловатт. Транзистор позволил при увеличении вычислительных возможностей уменьшить весогабаритные характеристики и параметры энергопотребления ЭВМ.

Но уже в 1952 году на ежегодной конференции по электронным компонентам, проходившей в Вашингтоне, было предсказано появление нового типа твердотельного прибора - интегральной микросхемы, отдельные части которой смогут выполнять различные функции. И это предсказание сбылось  в конце 50-х - начале 60-х годов. Интегральные полупроводниковые микросхемы произвели переворот в радиоэлектронике подобно тому, как это раньше сделал транзистор.

Что же такое интегральная микросхема? Это какая-либо, чаще всего типовая, электронная схема, выполненная на едином кристалле. В поверхностном слое кристалла с помощью методов полупроводниковой технологии формируют элементы электрической схемы (транзисторы, диоды, сопротивления, емкости, индуктивности и соединения между ними), образующие функциональный узел.

Задачи микроэлектроники

Основной задачей микроэлектроники является создание максимально надежных электронных схем и устройств. Эта задача решается путем отказа от использования дискретных компонентов электронной аппаратуры и создание интегральных микросхем, в которых формирование активных (транзисторы, диоды), пассивных (резисторы, конденсаторы) и соединительных элементов электронной схемы происходит на поверхности диэлектрической подложки в едином технологическом цикле. Минимальное количество внутрисхемных соединений дает возможность резко повысить надежность микроэлектронной аппаратуры. Именно этим преодолеваются сложные противоречия между возросшими требованиями к надежности электронной аппаратуры и ее усложнениями.

Второй задачей микроэлектроники является снижение стоимости электронных схем и устройств. Эта задача решается путем исключения нерациональных технологических операций, сокращения числа внутрисхемных соединений, исключения раздельной герметизации отдельных элементов. Снижение стоимости интегральных микросхем по сравнению со стоимостью аналогичных схем на дискретных элементах происходит из-за сокращения количества сборочных операций и из-за комплексного изготовления различных элементов электронной схемы в едином технологическом цикле. Эти преимущества интегральных микросхем становятся более значительными по мере усложнения интегральных микросхем и возрастания в них количества элементов.

Наряду с решением этих двух важнейших задач микроэлектроники создание и использование интегральных микросхем приводит к резкому уменьшению массы и объема электронной аппаратуры по сравнению с аппаратурой на дискретных элементах, а также к уменьшению потребляемой мощности.

Интегральные микросхемы

Интегральная микросхема - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее не менее пяти элементов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов), которые нераздельно связаны и электрически соединены между собой так, что устройство рассматривается как единое целое.

С точки зрения интеграции, т.е. объединения многих элементов электронной схемы в одном монокристалле полупроводника, основными параметрами являются плотность упаковки и степень интеграции.

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Физика
Тип:
Курсовые работы
Размер файла:
67 Kb
Скачали:
0