Твердотельная электроника

Задания на контрольные работы

• Вопросы № 1-20 для защиты контрольной работы по дисциплине "Твердотельная электроника" (Что называется контактной разностью потенциалов в p-n-переходе? Почему в пологой области выходных характеристик МОП транзистора ток стока слабо зависит от напряжения на стоке?)

Конспекты лекций

• Основные технологические процессы микроэлектроники

Контрольные работы

• Матрица перехода к кристалографической системе координат

Курсовые работы

• Расчет параметров транзистора со структурой металл-окисел-полупроводник

Методические указания и пособия

• Биполярный транзистор в схеме с общей базой: Методические указания к лабораторной работе № 3
• Лавинное умножение. Структура металл-диэлектрик-полупроводник. Приборы с зарядовой связью
• Подвижность и дрейфовая скорость. Токи диффузионных переходов. Полевой транзистор с изолированным затвором (Основные формулы для расчета)
• Полупроводниковые диоды: Методические указания к лабораторной работе № 1
• Стабилитроны: Методические указания к лабораторной работе № 2
• Тиристор: Методические указания к лабораторной работе № 4

Ответы на экзаменационные билеты

• Переход транзистора из крутой области в пологую. Зависимость крутизны от напряжения на затворе. Зависимость крутизны от степени легирования и размеров областей

Практика

• Равновесное состояние и концентрации подвижных зарядов в полупроводниках

Статьи

• Полупроводниковые устройства. Определение 67 «основных» устройств и 110 их модификаций

Экзаменационные вопросы и билеты

• Перечень экзаменационных вопросов курса «Твердотельная электроника» (Примесные и собственные полупроводники. Зонные диаграммы и уровень Ферми. ПЗС-структуры и их применение)