Министерство образования Российской Федерации
Новосибирский государственный технический университет
Кафедра ПП и МЭ
Курсовая работа по дисциплине: «Твердотельная электроника»
Расчет параметров транзистора со структурой металл-окисел-полупроводник
Выполнил: Бойков А.П.
Факультет: РЭФ
Группа: РЭ 3-91
Проверил: Макаров Е.А.
Дата защиты: « » 2011г.
Отметка о защите:
Новосибирск 2011
Содержание:
Министерство образования Российской Федерации
Новосибирский государственный технический университет
Кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ
Студент__________Бойков А.П._____________Код_____________Группа_____РЭ 3-91___
фамилия, инициалы
1. Тема: Расчет параметров транзистора со структурой металл-окисел-полупроводник
1. Срок предоставления проекта (работы) к защите
«___»_____________2011 г.
2. Исходные данные для проектирования
|
Затвор |
Тип |
Al |
|
|
Толщина диэлектрика |
|
1000 |
|
|
Фиксированный заряд |
|
|
|
|
Концентрация примеси |
|
|
|
|
Подложка |
Тип |
p |
|
|
Концентрация примеси |
|
|
|
|
Исток-сток |
Концентрация примеси |
|
|
|
Глубина залегания |
|
0.6∙10-4 |
|
|
Канал |
Подвижность |
|
700 |
|
Длина |
|
4∙10-4 |
|
|
Ширина |
|
5∙10-3 |
По заданным концентрациям и глубинам залегания переходов рассчитать пороговое напряжение и удельную крутизну транзистора, построить передаточную и три выходных характеристики транзистора при разных напряжениях на затворе.
4. Содержание пояснительной записки курсовой работы:
Титульный лист и лист задания на курсовую работу.
Расчеты основных электрических параметров.
Вольтамперные характеристики.
5. Перечень графического материала
Физическая структура транзистора с обозначениями областей и глубин залегания слоев и переходов.
Топология транзистора.
Передаточная и выходные характеристики транзистора.
Зависимости основных электрических параметров от толщины диэлектрика и концентрации акцепторов в подложке
Руководитель проекта (работы) Макаров Е.А.
подпись, дата инициалы, фамилия
Задание принял к исполнению __________________ «___» ________________ 2011 г.
подпись
Новосибирск 2011.
Министерство образования Российской Федерации
Новосибирский государственный технический университет
к курсовой работе по дисциплине
«Твердотельная электроника»____________________________
наименование учебной дисциплины на тему: ________ Расчет параметров транзистора со структурой металл-окисел-полупроводник
Автор ______________________Бойков А.П.______________________________________
подпись, инициалы, фамилия
__________________________________________________________________________
Специальность ___________________210100
Электроника и микроэлектроника_______________________________________________
номер, наименование
Факультет ___________РЭФ________________группа__________РЭ 3-91____________
Руководитель ________________________ ______Макаров Е.А._____________
подпись, дата инициалы, фамилия
Работа защищена ____________________ Оценка_______________________ дата
Новосибирск 2011.
Теоретические сведения.
МОП (металл-оксид-полупроводник) транзистор - разновидность МДП полевого транзистора - полупроводникового прибора, в котором ток изменяется в результате действия, направленного нормально к поверхности полупроводника, электрического поля создаваемого сигналом. В МОП-транзисторах в качестве диэлектрика используется оксид; в кремниевом полупроводнике – обычно двуокись кремния SiO2.
Полевые транзисторы обладают лучшими частотными и температурными свойствами, а также большей радиационной устойчивостью, чем БТ. В частности, температурная устойчивость объясняется как раз типом носителей тока – основные. Их концентрация определяется степенью легирования и не зависит от температуры. Увеличивается лишь сопротивление проводящего канала.
Полевым транзисторам присущ еще целый ряд ценных качеств:
- производство этих приборов проще в силу меньших габаритов;
- малая потребляемая мощность;
- высокое входное сопротивление (свыше 10 МОм);
- на базе полевых транзисторов легче создавать запоминающие устройства.
Основная структура МДП-транзисторов показана на рис.1. Этот четырёх полюсный прибор состоит из полупроводниковой слаболегированной подложки p-типа, в которой сформированы, непрерывно с помощью ионной имплантации, две высоколегированные n-области – сток (1) и исток (2). Металлический электрод, отделённый от подложки слоем окислов называется затвором. Металлические выводы 3,4 образуют омические контакты. Под затвором расположен тонкий окисел 7.
В кремниевых интегральных схемах отдельный МДП-транзистор окружён, в целях безопасности, областью с толстым углубленным слоем окисла 8, охватывающим транзистор с боковых сторон, который называется пассивирующим или полевым (в отличие от тонкого слоя подзатворного диэлектрика).
Окисел 8 ограничивает канал и в направлении, перпендикулярном движению дырок, определяя ширину канала.
Под разделительными областями 8 расположены сильно легированные слои 9 р-типа, предотвращающие образование инверсных слоев n-типа, которые могли бы вызвать паразитную связь между соседними транзисторами, например, между областями
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
