Другие предметы \ Устройства усиления сигналов

Проектування гібридної інтегральної тонкоплівкової мікросхеми радіомікрофона, страница 9

Знайдемо площу навісних компонентів:

Далі знаходимо загальну площу плати:

Отже найбільш підходящий розмір плати () з площею .

5.2 Розробка топологічної схеми пристрою

Топологічне креслення визначає орієнтацію і взаємне розміщення елементів і контактів ГІМС, а також форму і розміри плівкових елементів і з’єднання між ними. Геометричні розміри плівкових елементів мають бути простими, оскільки це спрощує їх виготовлення, збільшується точність і надійність.

Бажано щоб всі елементи ГІМС, крім навісних компонентів, виготовлялись за один технологічний цикл, що виключає попередню обробку і видалення дефектних елементів.

Перед розробкою топології мікросхеми розробляється комутаційна схема на основі електричної принципової схеми, а потім на основі комутаційної будується топологічна з врахуванням всіх з’єднань і розмірів елементів.

При розробці необхідно враховувати методи отримання елементів схеми і порядок нанесення шарів [6]. Як правило, в цілях кращого тепловідводу резистивні плівки розміщують на поверхні підкладки , потім провідникові плівки з’єднань або обкладки конденсаторів, далі ізоляційні плівки. При кресленні використовують умовні позначення типів шарів. Резистивний шар показують площинами з точками в середині; провідники, контактні площадки, обкладинки конденсаторів заштриховують тонкими лініями з кутом нахилу до контуру креслення 45^○, розрізняючи їх між собою напрямом і частотою штриховки. Діелектричний шар обводять штрих пунктирною лінією, а захисний – штриховою лінією по ГОСТ 2.306-68 [7].

При виконанні креслення потрібно прийняти до уваги деякі загальні вимоги:

1) мінімальна ширина плівкового провідника повинна бути не менше 0,1 мм при виготовленні методом фотолітографії;

2) допускається мінімальна відстань виводу від відкритого плівкового чи навісного привідника 0.2 мм;

3) мінімальна відстань від краю навісного елементу до краю підкладки рекомендується обирати 0,4 мм;

4) у конденсаторів діелектрик повинен виступати за край нижньої обкладки не менше ніж 0,1 мм;

5) рекомендується довжина дротяних виводів не більше 5 мм.

З урахуванням перерахованих вище вимог здійснюється оптимальне розміщення, на підкладці, плівкових елементів і контактів ГІМС.

У відповідності із схемою електричною принциповою на топологічному кресленні мають бути всі шари, з вказаними позиційними позначеннями елементів.

Топологічне креслення має виконуватись у відповідності до стандартів і має показувати плівкову структуру мікросхеми.

Топологічне креслення наведене в графічній частині на форматі А3 09-34.РМ.028.00.000 Е8.

5.3 Розрахунок паразитних ємностей та індуктивних зв’язків

Розрахунок паразитних ємнісних зв’язків проводять для двох найдовших паралельних провідників схеми, в даному випадку ємність між паралельними провідниками підкладки розраховується за формулою [7]:

, (5.2)

де l – довжина двох паралельно прокладених друкованих провідників (l=2,2мм) провідники від резистора R3 до конденсатора С7 та від конденсатора С3 до С5

- відносна діелектрична проникність підкладки;