В якості матеріалу провідників, в даному проекті, використовується алюміній з підшаром ніхрому Х20Н80, тому що він є найбільш ефективним для даної мікросхеми, бо всі обкладинки конденсаторів, плівки індуктивностей з алюмінію. Підшар ніхрому забезпечує високу адгезію, а алюміній, в свою чергу, забезпечую необхідну провідність, високу стійкість, можливість зварювання. Товщина плівки від 0,01 - 0,5 мкм і питомий опір 0,06 - 0,1 Ом/□.
Контактні площадки розташовуємо з кроком 0,625 мм при мінімальному розмірі площадок 0,4ммх0,4мм з кроком 1,25 мм при мінімальному розмірі 1мм х 0,4мм. Тому для периферійних контактних площадок вибираємо розмір 0,4мм х 0,4мм з кроком 1,25мм [2].
Для плівкових резисторів контактні площадки мають орієнтоване значення 0,8 мм х 0,4мм. Їх ширина не повинна виступати за ширину резисторів більше ніж 0,1 мм, а довжина має бути меншою 0,4 мм, інакше вони будуть навісними. Контактні площадки для приєднання транзисторів вибираємо 0,4мм х 0,4мм, причому мінімальна відстань між ними має бути 0,4 мм. Контактні площадки для приєднання навісних конденсаторів вибираємо 0,4мм х 0,2мм, причому мінімальна відстань між ними має бути 0,4 мм.
4 Комутаційна схема
Для побудови комутаційної схеми беремо за основу електричну принципову схему. Комутаційна схема являє собою умовні позначення всіх елементів у відповідності до схеми електричної принципової. Для цього етапу не потрібно зберігати пропорції у розмірах елементів і при побудові намагатись уникати перетинів [5].
Комутаційна схема дає нам змогу оцінити доцільність використання того чи іншого виду корпусів і ми можемо розглядати приблизне розташування елементів на схемі. Всі навісні компоненти замінюються контактними площадками.
В даному випадку резистори R1-R4, конденсатори С2-С8 та індуктивність L1 будуть плівковими, а конденсатори С1, С9 і транзистори VT1, VT2 - навісними.
Комутаційна схема знаходиться в графічній частині на форматі А4 09-34.РМ.028.00.000 Е4.
Навісні компоненти, а саме конденсатори вибираємо з [2] таблиця 4.2. Навісні конденсатори К10-9-H90 ГОСТ.416.029 ТУ: конденсатор С1: L=2.5мм – довжина навісного конденсатора, В=5.5 – ширина навісного конденсатора, H=1.4 – висота навісного конденсатора, маса 0,5 гр.; С9: L=4, B=4, H=1, маса 0,3гр.
Графічне зображення транзистора КТ3102Б ГОСТ 5.1562-75 представлено на рисунку 4.1.
Рисунок 4.1-Транзистор КТ3102Б
5 Розробка ескізу топології мікросхеми
5.1 Розрахунок площі підкладки
Підкладка - це основа будь-якої мікросхеми на якій розміщуються, в даному випадку, тонкоплівкові елементи і з’єднувальні провідники, яка служить ізоляцією для окремих елементів і одночасно є надійним тепловідводом. Основними вимогами є: гладка та плоска поверхня; висока електрична міцність; висока робоча температура та хімічна інертність до плівок, які наносяться. Тому перед нанесенням плівок, підкладку очищають шляхом іонного бомбардування безпосередньо в приладі для нанесення [5].
На сьогодні є дуже багато
матеріалів підкладок, але в даному курсовому проекті обирається ситал СТ-50-1.Тому
що він має ряд переваг над іншими матеріалами підкладок, ось деякі основні
переваги: висока якість обробки поверхні; висока механічна міцність; мінімальна пористість; висока теплопровідність, приблизно 1,2(Вт/м 
К); хімічна стійкість до металевих плівок і
кислот; високий питомий опір 1015 Ом/мм; низька ціна матеріалу й
технологія його обробки; газонепроникний; має малу газовіддачу при високих
температурах; температура початку деформації значно вища ніж у скла. Він є склокерамічним матеріалом, який отримується
термообробкою.
Площа плати розраховується за формулою[2]:
S= K.(
), (5.1)
де K - коефіцієнт запасу по площі (2 - 3);
SR,, SC,, SКП - площі які займають всі резистори, конденсатори, контактні площадки;
SН.К - сумарна площа навісних компонентів.
Далі сумуємо всі площі резисторів
.
Аналогічно обрахуємо для конденсаторів:
.
Аналогічно обрахуємо для котушок індуктивності:
.
Обрахуємо площу контактних площадок:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.