Электротехника \ Электротехника и электроника

Практическое ознакомление со схемами включения биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмитором и полевого транзистора, включённого по схеме с общим истоком

Страницы работы

Содержание работы

Цель работы: Практическое ознакомление со схемами включения биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмитором (ОЭ) и полевого транзистора, включённого по схеме с общим истоком (ОИ).

Оборудование: Лабораторный стенд, блок № 2, соединительные провода, токовый шунт.

Задание № 1.

Исследование биполярного транзистора. Снять выходную характеристику I_K = f(U_КЭ) при I_Б = const.

Овал: PA Овал: PV +15 V X10

20 mA

+ X6 -

X5

+5 V R1 20 V

X1 R2

X2 X7

X3 X11

R4 X9

X4

Uкэ, В	0,1	0,2	0,4	0,6	0,8	1	2	4	6	8
Iк, mA при R1 (Iб1)	2,72	3,12	3,24	3,25	3,26	3,26	3,28	3,31	3,34	3,37
Iк, mA при R2 (Iб2)	3,36	5,50	5,66	5,67	5,68	5,69	5,72	5,79	5,84	5,91
Iк, mA при R3 (Iб3)	5,64	10,77	11,22	11,24	11,26	11,28	11,38	11,53	11,72	12,13
Iк, mA при R4 (Iб4)	7,35	14,65	15,53	15,55	15,57	15,58	15,70	16	16,20	16,48

По данным таблицы построим выходную характеристику I_K = f(U_КЭ) при I_Б = const.

Задание № 2.

Исследование полевого транзистора.

1. Снять переходную характеристику I_C = f(U_ЗИ) при U_СИ – const = max.

2. Снять выходные (стоковые) характеристики I_C = f(U_СИ), U_ЗИ = 0; 1; -1 В.

№ 1.

UЗИ, B	0,5	1	1,5	2
IC, mA	1,03	0,80	0,61	0,43

№ 2.

UЗИ = 0 В	UСИ, В	0,2	0,4	0,6	0,8	1	2	4	6
UЗИ = 0 В	IC, B	0,82	1,50	2,11	2,62	3,02	3,98	4,34	4,44
UЗИ = 1 В	UСИ, В	0,2	0,4	0,6	0,8	1	2	4	6
UЗИ = 1 В	IC, B	0,02	1,40	2,41	3,22	4,01	4,83	6,68	7,61
UЗИ = -1 В	UСИ, В	0,2	0,4	0,6	0,8	1	2	4	6
UЗИ = -1 В	IC, B	0,38	0,54	0,68	0,77	0,83	0,93	1,02	1,06

+ 5 (-5)

X5 X6

Овал: PA R6

Овал: PV 20 mA

VT2

R7 X3

+ -

2 V

- (+)

X2 X4

По данным таблицы и схемы включения полярного транзистора построим диаграмму зависимости I_C = f(U_СИ), U_ЗИ = 0; 1; -1 В.

Контрольные вопросы:

Крутизна S для полевого транзистора S = Δ I_C / Δ U_ЗИ = 13 мА/ В

Дифференциальное сопротивление

При U_ЗИ = 0: R₁ = Δ U_C_И / Δ I_С= 0,2/0,82 = 0,24 Ом

R₂ = Δ U_C_И / Δ I_С = 0,8/ 2,62 = 0,3 Ом

R₃ = Δ U_C_И / Δ I_С = 6/4,44 = 1,35 Ом

При U_ЗИ = 1: R₁ = Δ U_C_И / Δ I_С = 0,2/1,40 = 0,14 Ом

R₂ = Δ U_C_И / Δ I_С = 0,8/4,01 = 0,2 Ом

R₃ = Δ U_C_И / Δ I_С = 6/7,61 = 0,78 Ом

При U_ЗИ = -1: R₁ = Δ U_C_И / Δ I_С = 0,2/0,38 = 0,5 Ом

R₂ = Δ U_C_И / Δ I_С = 0,8/0,77 = 1,03 Ом

R₃ = Δ U_C_И / Δ I_С = 6/1,06 = 5,6 Ом

Ответы:

1. h параметры – транзисторы, включённые в общих схемах, могут быть представлены в виде четырёхполюсника, описываемого системой h параметров, устанавливающих связь между входными и выходными напряжениями и токами.