AB15
D1 D8
А0 A0
: 256 I/O: : 256 I/O
: *8 : *8
А7 8 A7 8
CS CS
8 DB
Смешанный способ применяют, если разрядность ЗУ меньше разрядности шины данных DB МП и адресность ЗУ меньше разрядности шины адресов АВ МП. В этом случае соответствующие адресные входы запоминающих устройств соединяются параллельно и подключаются к младшим линиям АВ. Старшие линии шины АВ обепечивают выбор ЗУ по принципу вертикального наращивания памяти.
Комбинированный (смешанный) способ.
8080 16 AB
15 15
A0 RAM A0 RAM
A1 A1
МП : 32K 4 : 32K 4
: *4 : *4
A14 A14
D0-D3 D4-D7
& CS CS
8 DB
15 15
A0 RAM A0 RAM
A1 A1
: 32K D 4 : 32K D 4
: *4 : *4
A14 A14
CS CS
1.18 Распределение адресного пространства
1.18.1 (Раскраска памяти)
При вертикальном и смешанном способе наращивания памяти, иногда не все адресное пространство доступно, следовательно обязательной характеристикой МП при вертикальном способе является распределение адресного пространства, которое показывает какие адреса могут испоьзоваться в программных листингах и какие реальные схемы записывающих устройств размещены по конкретным адресам. Говорят, что раскраска памяти отобра- жает интерфес ЗУ. Кроме того, иногда в раскраске памяти показывает по каким адресам в ЗУ хранятся программы и информационные массивы. Если информации нет, то адрес FFFF, поскольку внутренняя шина построена по принципу открытого коллектора. При раскраске памяти обязательное требование наличие ЗУ по стартовому адресу МП.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.