Решение:
Выделяем сферический слой с поверхностью
S = 4πr2 , перпендикулярно которому от обкладки к обкладке течет ток. Если толщина слоя dr , то его сопротивление dR = ρdrS .
Полное сопротивление R = ∫rr21 dR = 4ρπ r∫r21 drr2 = 4ρπ r11 − r12 .
Но Cсферичконденсатора. = 4πεεr2 −0rrr11 2 , т.е. 41π r11 − r12 = εεC0 и R = ρεεC 0 .
Тогда ток «разрядки» конденсатора I = UR = ρUCεε0 .
Постоянен заряд через любое сферическое «сечение», т.к. внутри однородной среды не может накапливаться избыточный заряд. Т.е., плотность тока j r( ) = 4πIr2 = 4π ρεεrUC2 0 =σE r( ) = ρ1 E = j закон Ома в дифференциальной форме, т.е. E r( ) = 4πεεUC0r2 не зависит от ρ.
Ответ: R = ρεεC 0 , E r( ) = 4πεεUC0r2 .
5. К центрам противоположных торцов тонкостенной цилиндрической банки диаметром D и высотой l припаяны провода диаметром d . Определить сопротивление банки R , если она сделана из жести толщиной δ$ d с удельной проводимостью σ.
Решение:
Ток I последовательно течет по верхнему основанию банки, по ее боковой поверхности и по нижнему основанию, т.е. R = Rосн. + Rбок. + Rосн.
поверх.
(последовательное соединение).
Боковая поверхность имеет сечение S =π δD⋅ , длину l и удельное сопротивление .е.
Rбокповерх. . = ρSl = σπ δlD .
Основание разбиваем на маленькие кольца радиуса r и толщиной dr высотой δ.
Ток течет перпендикулярно боковой поверхности этих колец 2πδr , т.е. сопротивление кольца dRк = ρ2πδdrr и D 2 D 2 сопротивление основания Rосн dRк .
d 2 d 2
В сумме Rбанки = σπlDS +2⋅ 2πδρ ln Dd = σπδ1 Dl +ln Dd .
Ответ: Rбанки = σπδ1 Dl +ln Dd .
6. Заземление концов телеграфной линии осуществлено посредством металлических шаров радиусами r1 и r2 , очень глубоко зарытых в землю. Удельная проводимость почвы вблизи них равна σ1 и σ2 . Найти сопротивление R земли между шарами. Считать почву в окрестности каждого шара однородной на расстояниях, больших по сравнению с радиусами шаров.
Решение 1:
В силу однородности почвы ток будет течь от шара перпендикулярно его поверхности. Окружив шар слоем с площадью 4πr2 и толщиной dr .
Определяем сопротивление слоя как dRi = ρi 4π σ πdRr2 = 1i 4drr2 .
Т.е. сопротивление однородной почвы, заключающей большой объем вокруг каждого шара равно Ri dRi r i ir .
Но сопротивление почвы вокруг обоих шаров складывается последовательно: R = R1 + R2 = 41π σ σ 11 1r + 12 2r .
Решение 2:
Поместим мысленно на левый шар заряд q1, а на правый q2 . Тогда ток, стекающий с левого шара I1 = 4πr j1 12 = 4π σr12 1 1E из закона Ома в дифференциальной форме.
Но E1 = 4πεεq011 1r2 поле вблизи заряженного шара, т.е. I1 = εεq011σ1.
На второй шар точно такой же шар должен стекать из почвы:
I2 = qεε20σ22 = −I1 = −εεq1 10σ1 , т.е. q2 = − qσε1 1σε2 12 , где ε1 и ε2 диэлектрическая проницаемость почвы вблизи шаров, она может быть различной.
Потенциалы шаров: ϕ1 = Cqлев1. = 4πεεq01 1 1r , ϕ2 = Cqправ2 . = 4πεεq02 2 2r = − 4πεσ εq01 1σ2 2r 1 .
шара шара
Но из закона Ома I = I1 = UшарамимеждуR =ϕ ϕ1 −R 2 , т.е.
R = ϕ ϕ1 −I 2 = 4 q1 1 + σσ εε12 q1 10σ1 = 41π σ σ 11 1r + 12 2r , результат не зависит от
1 πεε0 1 r1 r2
диэлектрической проницаемости среды.
Ответ: R = 41π σ σ 11 1r + 12 2r .
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.