КГЭУ. гр.ВПЭ-1-05
Ахмадуллин А.М.
Расчетное задание №1
по курсу «Полупроводниковые ключи и силовые модули в преобразовательных устройствах»
Вариант №1
Задание: Определите мощность потерь в диоде, работающем в схеме на рис. 1, если он переключается из проводящего состояния в непроводящее (и наоборот) перепадом напряжений с Ег1 = 50 В до Ег2 = -50 В (и наоборот). Частота переключения диода f = 20 кГц, скважность импульсов напряжения eг Q = 2, сопротивление внешней цепи R = 10 Ом, падение напряжения на диоде в прямом направлении в импульсном режиме Uпр.и = 1 В, сопротивление утечки диода 100 кОм, время жизни носителей в базе диода tэфф = 10 нс, значение барьерной емкости p-n-перехода диода при обратном напряжении 20 В Сб = 10 пФ. Контактная разность потенциалов p-n-перехода равна 0,6 В, p-n-переход считать плавным.
рис.1
Qвос ≈ Iпр τэфф = 4,9·10·10–9 = 49·10–9 Кл.
tсп ≈ 3RCб. 3·10·13,77·10–12 = 0,41·10–9 с
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.