Выходные каскады. Выбор каскада. Принципиальные схемы трансформаторных выходных каскадов, страница 6

                                                         P_бm3 = 0.5U_бm3⋅I_бm3 = P_н / H₂₁.                             (4.37)

6.  Рассчитывается коэффициент нелинейных искажений и необходимая глубина отрицательной обратной связи F для его снижения. Для сохранения устойчивости работы глубина обратной связи не должна превышать 20÷30.

7.  Расчет второй ступени:

           определяется с учетом собственных потерь отдаваемая ступенью мощность 

P_н3 = 1.1 ÷ 1.2 Р_mб3, амплитуда тока коллектора второго транзистора 

I_km2 =1.1÷1.2I_бm3,

Ток в рабочей точке второго транзистора выбирается с учетом условия его работы в режиме класса “A’

I_ко2 = 1.2÷1.5I_km2,

Потребляемые второй ступенью мощность и мощность рассеяния на коллекторе второго транзистора

Po2 = Eo⋅Iko,  Pk2 = Po2 – Pн2;

Производится выбор второго транзистора по мощности (4.3) и граничной частоте усиления, которая для обеспечения устойчивости должна быть не менее F_b‡ 10 F Fв,

Рассчитываются параметры входной цепи второго транзистора I_бm2,

Uбm2, Pбm2, Rвх2.

8.  Расчет первой ступени: по аналогии с расчетом второй ступени определяются все энергетиче-

ские параметры (U_km1, I_km1, P_н1, I_ко1, P_o1), также по аналогии со второй ступенью выбирается транзистор, выбирается сопротивление резистора R3=10‚ 20H_112,

рассчитывается для первой ступени необходимый коэффициент температурной стабилизации, который примерно должен составлять S_t=3‚ 5.

9.  Рассчитываются сопротивления резисторов схемы: сопротивления в цепи общей обратной связи

5.0E −U

                                                         R5 =        ^{o      ko1} − R3 .                                        (4.38)

I

ko1

Так как глубина общей отрицательной обратной связи определяется соотношением

                                                                     HH⋅            ⋅ R

                                                         F =    ^{212       213 н} +1,                                        (4.39)

R4 + R5

то сопротивление резистора R4 равно

                                                                       HH⋅            ⋅ R

                                                         R4 =    ^{212       213 н} − R5 .                                    (4.40)

F −1

При окончательном выборе сопротивлений указанных резисторов производится проверка R_н<< R4+R5<<H₂₁₂ H₂₁₃ R_н:

-  сопротивление смещения и диоды термокомпенсации транзисторов VT3 и VT4. Число диодов для более полной компенсации принимается равным числу транзисторов одного плеча последней ступени, чтобы падение напряжения на диодах соответствовало равенству DU_a=I_б•R_вх,

-  сопротивления резисторов смещения на базе первого транзистора с учетом, что потенциал базы  его равен

                                                       UU_эб1 =  _{б 1} + I_ko1 ⋅ R05+ 5.E_o .                                    (4.41)

10.  Определяются входные параметры каскада: входное сопротивление с учетом влияния общей отрицательной обратной связи

                                                                         R ⋅⋅( ^R4 R ⋅ H     )

Rвх = ^{б R}R⁵4 ^{н 21} ,     (4.42) R ⋅+( R ⋅ H ) б R5 н 21

где R_б = R1//R2 – эквивалентное сопротивление цепи базы,        H₂₁ = H₂₁₁ H₂₁₂ H₂₁₃ – общий коэффициент передачи. входное напряжение каскада.

11.  Расчет емкостей конденсаторов каскада.

Емкости всех конденсаторов рассчитываются с учетом обеспечения требуемого коэффициента низкочастотных искажений, для чего заданное значение его распределяется на три части. Но емкость выходного разделительного конденсатора С3 дополнительно еще определяется по условию обеспечения питания транзистора VT4 по формуле

 I

                                                         C3 ≥       ^km3      ,                                                  (4.43)

2pF ∆⋅E н    o

где DЕ_о = (0.05‚ 0.1) Е_о – допустимое снижение напряжения питания.

При использовании рассматриваемой схемы в типовом режиме обычно вместо резистора R1 используются два (R1=R1₁+R1₂), вводя этим самым развязывающий фильтр (R1₁C_ф) в цепь базы первого транзистора. 

4.5. Фазоинверсные каскады