Исследование характеристик активного элемента по постоянному и переменному сигналу, страница 4

GAMMA – коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение

XJ – глубина переходов исток-подложка, сток-подложка (0 М)

TOX – толщина подзатворного окисла

Например:     

.MODEL MODT NMOS (LEVEL=1 VTO=.8 KP=2E-5 GAMMA=.3 XJ=.7U +TOX=50N)

 

                                    Схема 3.

            Схема 4 моделирует расчет переходной характеристики диода при разных значениях начального смещения входного напряжения. Для получения переходной характеристики используется источник синусного сигнала, который описывается следующим образом:

V<идентификатор> <узел 1> <узел 2а> SIN (<параметры источника>)

В качестве параметров синусного источника указываются :

-  постоянная составляющая смещения по напряжению

-  амплитуда

-  частота

-  задержка

Например:

V1 1 0 SIN({A} 0.2 100K 10N)

            Как видно из записи начальное смещение задано параметром А. Для параметрического задания величины используется следующая запись:

.PARAM A=.4

.STEP PARAM A .4 1.2 .1

В директиве PARAM указывается параметр и его начальное значение. В директиве STEP задается диапазон изменения значений параметра.

.STEP PARAM A <начальное значение> <конечное значение> <шаг изменения>

Для вывода результатов расчетов задается директива TRAN.

.TRAN <временной шаг вывода результатов> <конечное время расчета>

Например:

.TRAN 10N 50U

 

Схема 4.

Приложение

Пример входного файла описания схемы 1 и задания на расчет.

СНЕМА1

*РАСЧЕТ ВАХ ДИОДА

.PROBE

.OPT ACCT LIST NODE OPTS NOPAGE