Исследование характеристик активного элемента по постоянному и переменному сигналу, страница 2

Диоды описываются следующим образом

D<идентификатор> <узел анода> <узел катода><имя модели диода>

Например:     

D1 1 0 MODD

В описании диода имя модели MODD. Модель диода описывается директивной строкой. В скобках указаны значения параметров устанавливаемые по умолчанию.

.MODEL <имя модели> D [(<параметры модели диода)>]

Параметры модели диода:

IS – тепловой начальный ток диода (1Е-14 А)

RS – объемное сопротивление диода (0 Ом)

N – коэффициент инжекции (1)

TT – время переноса заряда (0 сек)

CJO – барьерная емкость при нулевом смещении (0 Ф)

VJ – контактная разность потенциалов (1 В)

IBV – начальный ток пробоя при соответствующий напряжению BV (Е-10 А)

BV – обратное напряжение пробоя (∞ В)

Например:     

.MODEL MODD D (IS=1.E-15 RS=100 N=1 TT=.1n CJO=2p VJ=.6 BV=8 +IBV=1.E-3)

 

Схема 1.

Схема1 моделируется при разных значениях объемного сопротивления диода RS, описанного в модели диодо MODD.

.DC V1 -8.1 2. .01 D MODD(RS) 100 300 50

            Также расчет проводится для двух значений температуры 27 и 75 градусов. Задание можно выполнить задав директиву TEMP c указанием значений температур.

.TEMP 27 75

Для схемы 2 моделируется выходная вольт-амперная характеристика при разных напряжениях база-эмиттер (источник напряжения V1) и разных значениях температуры (–60, 27, 75 градусов).

Биполярные транзистоы описываются следующим образом

Q<идентификатор> <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера> <узел подложки> <имя модели транзистоа>

Например:     

Q1 2 1 0 0 MODT

 В описании биполярного транзистора имя модели MODТ. Модель транзистора описывается директивной строкой. В скобках указаны значения параметров устанавливаемые по умолчанию.

.MODEL <имя модели> <тип модели> [(<параметры модели транзистора)>]

У биполярного транзистора тип модели может быть либо NPN. либо PNP.