СОВМЕЩЕНИЕИЭКСПОНИРОВАНИЕ
Точность полученного в процессе фотолитографии топологического рисунка в первую очередь определпстся прецизионностью процесса совмещения.
Передача изображения с фотошаблона на подложку должна выполняться с точностью до десятых долей минимального размера элемента, что обычно составляет 0,1 — 0,5 мкм. Поэтому процессы совмещения и экспонирования проводят на одном рабочем месте одновременно на одной установке, не допуская даже малой вибрации фотошаблона и подложки.
Совмещение и экспонирование являются наиболее ответственными операциями процесса фотолитографии.
Перед экспонированием слоя фоторезиста фотошаблон следует правильно сориентировать относительно подложки и рисунка предыдущего слоя. Дня полного формирования структуры полупроводникового прибора или ИМС необходим комплект фотошаблонов со строго согласованными топологическими рисунками элементов.
При первой фотолитографии, когда поверхность подложек еще однородна, фотошаблон ориентируют относительно базового среза подложки. При последующих фотолитографиях, когда на подложках сформированы топологические слои, рисунок фотошаблона ориентируют относительно рисунка предыдущего слоя.
Совмещают рисунки фотошаблона и подложки в два этапа. На первом этапе с помощью реперных модулей — "пустых кристаллов" выполняют грубое совмещение в пределах всего поля подложки. На втором этане с помощью микроскопа в пределах единичного модуля
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
