Исследование взаимосвязи физических параметров и построение вольтфарадной характеристики германиевого варикапа

Страницы работы

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.

Содержание работы

Министерство образования  Российской Федерации

Владимирский государственный университет

Кафедра конструирования и технологии

радиоэлектронных средств         

Общая электротехника и электроника

Лабораторная работа N 1

Исследование варикапов 

Владимир 2004

Цель работы – исследование взаимосвязи физических параметров и построение вольтфарадной характеристики германиевого варикапа.

Исходные данные:

Диэлектрическая проницаемость вакуума – 8,86*Е(-12);

Относительная диэлектрическая проницаемость германия-16;

Абсолютная температура-270К…330К;                                                              

Удельное сопротивление р-слоя при заданной температуре;

Удельное сопротивление n-слоя при заданной температуре;

Площадь перехода;

Коэффициент перекрытия.

В ходе выполнения лабораторной работы необходимо решить следующие вопросы:

1.  Исследовать засисимость ширины перехода от удельного сопротивления слоев, от температуры .

2.  Исследовать зависимость высоты потенциального барьера от удельного  сопротивления слоев, от температуры .

3.  По заданному коэффициенту перекрытия определить пределы изменения управляющего напряжения .

4.  Построить вольтфарадную характеристику варикапа по заданным исхдным данным .

При исследовании следует учитывать зависимость подвижности носителей заряда от температуры и от концентрации примесей .

Контрольные вопросы

1.  Как изменятся исследуемые параметры и зависимости при повышении температуры?

2.  Как повлияет на исследуемые параметры и зависимости повышение удельного сопротивления слоев при заданной температуре?

3.  Как изменятся параметры и вольфарадная характеристика, если исходные данные для р- и n-слоя поменять местами?              

Рекомендуемая литература

1.  Степаненко И.П.  Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1977.

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
27 Kb
Скачали:
0

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.