Рабочая программа по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Владимирский  государственный  университет»

кафедра «Конструирования и технологии радиоэлектронных средств»

УТВЕРЖДАЮ         

Первый проректор

_______________

«___» _____________2005 г.

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

по дисциплине ______«Физические основы микроэлектроники»______________

для специальностей  210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных_ средств» и 210202 «Проектирование и технология_электронно-вычислительных средств» направления 210200 «Проектирование и технология электронных____ средств»                 __________________________________________________

вид обучения                     полное очное образование     ____________________

(очное, очно-заочное, заочное)

Учебный план курса

Владимир 2005 г.

1. Введение

1.1.  Значение курса в подготовке специалиста

Дисциплина предусматривает изучение теоретических основ эффектов и явлений в структуре полупроводников, обусловливающих функционирование интегральных микросхем различных видов. Исследования математических моделей эффектов обеспечивают возможность получения количественных оценок явлений во взаимосвязи с действующими факторами, необходимы для синтеза физической структуры элементов и узлов интегральных микросхем с заданными электрическими характеристиками.

Теории генерации и рекомбинации носителей заряда в полупроводниках является одним из элементов теоретических основ функционирования интегральных транзисторов. Генерационно - рекомбинационные эффекты обуславливают деградационные явления в полупроводниковых микроструктурах. Количественные оценки интенсивности таких процессов лежат в основе физической теории надежности, применяемой для получения расчетных оценок показателей эксплуатационной надежности электронных средств.

1.2.  Взаимосвязь с другими дисциплинами

Изучение дисциплины предусматривает применение знаний, навыков и умений, полученных при изучении курсов физики, специальных глав физики, математики. Предусматривается использование различных видов информационных технологий, программных продуктов и ресурсов INTERNET.

1.3.  Цель преподавания дисциплины

Основные цели изучения дисциплины предусматривает формирование знаний физики фундаментальных процессов, эффектов и явлений, обуславливающих функционирования полупроводниковых микроструктур в разных электрических режимах при воздействии внешних факторов. Уровень освоения материала должен  обеспечивать возможность получения расчетных оценок электрических параметров и характеристик полупроводниковых микроструктур с использованием возможностей современных информационных технологий.

1.4.  Задачи изучения дисциплины

Реализация поставленной цели достигается изучением основ квантовой механики, квантовой статистики, физики твердого тела, физики полупроводников, контактных явлений в полупроводниках и диэлектриках. Изучение эффектов генерации – рекомбинации носителей заряда в полупроводниках, физических основ эффектов и механизмов переноса носителей заряда в полупроводниках, p-n переходах и контактах металл – полупроводник рассматривается как необходимое условие исследования физической структуры, принципов функционирования и теоретического моделирования электрических характеристик интегральных транзисторов и микроструктур.

 2. ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН КУРСА