Рабочая программа по дисциплине «Физические основы микроэлектроники», страница 2

№

Название раздел

(темы)

Распределение часов

К.п., к.р., РГР, контр. р., дом. зад. и др.

Рейтинг-контроль

Внеаудиторная СРС

(часов)

Аудиторные занятия

Всего

Лекция

Практические занятия

(семинары)

Лабораторные занятия

1

2

3

4

5

6

7

8

9

3.1.

Введение

4

4

4

3.2.

Теория Зоммерфельда

12

6

2

6

3.3.

Статистика Ферми – Дирака

12

4

2

4

3

3.4.

Состояние электронов в периодическом силовом поле

12

4

2

4

дом.

задан.

3

3.5.

Проводники, диэлектрики, полупроводники

5

4

1

3

3.6.

Статистика электронов в полупроводниках

12

4

2

4

3

3.7.

Генерация и рекомбинация в полупроводниках

4

2

2

3.8.

Электропроводность полупроводников

12

4

2

4

дом.

задан.

4

3.9.

Контактные явления в полупроводниках

16

8

2

4

2

6

3.10.

Фотоэлектрические явления в полупроводниках

10

2

2

4

2

3.11.

Термоэлектрические явления в полупроводниках

2

2

2

3.12.

Механизмы переноса носителей заряда

6

2

4

2

1

2

3

4

5

6

7

8

9

3.13.

Физические основы интегральных транзисторов

23

8

2

6

дом.

задан.

3

8

3.14.

Приборы и устройства квантовой электроники

6

4

4

3.15.

Физика перспективных направлений микроэлектроники

8

6

5

3.16.

Основные понятия и принципы наноэлектроники

6

4

4

Итого

150

68

16

34

3

61