Стандартизованные ряды номинальных сопротивлений, страница 4

h₁₂_б - - - - - - - h₂₂_б - - - - - - - f_h21_э 3 3 3 3 3 3 3 3

С_к 60 60 60 60 60 60 60 60

r¢_бС_к - - - - - - - F_ш - - - - - - - -

U_кэ_m 25 45 60 80 25 45 60 80

I_к_m 3000 3000 3000 3000 3000 3000 3000 3000

Р_m 1 1 1 1 1 1 1 1

U_нас 0,33 0,33 0,33 0,33 0,33 0,33 0,33 0,33

Т_макс 125 125 125 125 125 125 125 125

Тип перехода p – n – p , кремний n – p– n, кремний

Рис. 6. Входная и выходная характеристика КТ816

Рис. 7. Входная и выходная характеристика КТ817

Обозна- Тип транзистора

чение КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г

I_{кб 0} 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000

U_к 40 40 40 40 40 40 40 40

I_к 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000 5000

h_11э - - - - - - - -

h_21э 15-20 20 15-20 12-20 15-30 20-30 15-30 12-30

h_12б - - - - - - - h₂₂_б - - - - - - - f_h21_э 3 3 3 3 3 3 3 3

С_к 60 60 60 60 60 60 60 60

r¢_бС_к - - - - - - - F_ш - - - - - - - -

U_кэ_m 25 40 60 80 25 40 60 80

I_к_m ,А 10 10 10 10 10 10 10 10

Р_m 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5

U_нас 1 1 1 1 1 1 1 1

Т_макс 125 125 125 125 125 125 125 125

Тип перехода p – n – p , кремний n – p – n, кремний

Рис. 8. Входная и выходная характеристики КТ818

Рис.9. Входная и выходная характеристики КТ819

1 2 3 4