Стандартизованные ряды номинальных сопротивлений, страница 2

I_к 1 1 1 1 1 1 1 1

h₁₁_б 40 40 40 40 40 40 40 40

h₂₁_э 20-90 50-350 20-90 50-350 20-90 20-90 40-160 50-700

h₁₂_б - - - - - - - h₂₂_б 0,3 0,3 0,3 0,3 0,4 0,4 0,4 0,4

f_h21_э 250 250 250 250 250 250 250 250

С_к 7 7 7 7 9 9 9 7

r¢_бС_к 300 500 500 500 150 150 120 500

F_ш - - - - - - - -

U_кэ_m 20 15 30 25 25 20 40 60

I_к_m 100 100 100 100 50 50 50 50

Р_m 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15 0,15

U_нас 0,63 0,63 0,63 0,63 0,8 0,8 0,8 0,8

Т_макс 120 120 120 120 120 120 120 120

Тип перехода n – p – n, кремний p – n – p, кремний

Рис.1 Входная и выходная характеристики КТ315

Дискретность изменения тока базы на выходных характеристиках:

КТ315А - DI_б = 0,1мА; КТ315Б-Г - DI_б = 0,05мА .

Обозна- Тип транзистора

чение КТ502А КТ502Б КТ502В КТ502Г КТ503А КТ503Б КТ503В КТ503Г

I_{кб 0} 1 1 1 1 1 1 1 1

U_к 5 5 5 5 5 5 5 5

I_к 1 1 1 1 1 1 1 1

h₁₁_э 900 900 900 900 1400 1400 1400 1400

h₂₁_э 40-120 80-240 40-120 80-240 40-120 80-240 40-120 80-240

h₁₂_б - - - - - - - h₂₂_б - - - - - - - f_h21_э 10 10 10 10 15 15 15 15

С_к 10 10 10 10 10,5 10,5 10,5 10,5

r¢_бС_к - - - - - - - F_ш - - - - - - - -

U_кэ_m 25 25 40 40 40 40 60 60

I_к_m 300 300 300 300 300 300 300 300

Р_m 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5

1 2 3 4