Стандартизованные ряды номинальных сопротивлений, страница 3

U_нас 0,15 0,15 0,15 0,15 0,05 0,05 0,05 0,05

Т_макс 150 150 150 150 150 150 150 150

Тип перехода p – n – p , кремний n – p – n , кремний

Рис.2. Входная и выходная характеристики КТ502

Дискретность изменения тока базы на выходных характеристиках:

КТ502А,В - DI_б = 40 мкА,; КТ502Б,Г - DI_б = 20 мкА.

Рис.3. Входная и выходная характеристики КТ503

Обозна- Тип транзистора

чение КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г КТ815А КТ815Б КТ815В КТ815Г

I_{кб 0} 0,4 0,4 0,4 0,4 0,06 0,06 0,06 0,06

U_к 40 40 40 40 40 40 40 40

I_к 50 50 50 50 50 50 50 50

h₁₁_э 300 300 300 300 300 300 300 300

h₂₁_э 40-70 40-70 40-70 30-70 40-70 40-70 40-70 30-70

h₁₂_б - - - - - - - h₂₂_б - - - - - - - f_h21_э 3 3 3 3 3 3 3 3

С_к 40 40 40 40 40 40 40 40

r¢_бС_к - - - - - - - F_ш - - - - - - - -

U_кэ_m 25 40 60 80 25 40 60 80

I_к_m 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500 1500

Р_m 1 1 1 1 1 1 1 1

U_нас 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0 ,2 0,2 0,2

Т_макс 125 125 125 125 125 125 125 125

Тип перехода p – n – p , кремний n – p – n, кремний

Рис.4. Входная и выходная характеристики КТ814

Обозна- Тип транзистора

чение КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г

I_{кб 0} 0,2 0,2 0,2 0,2 0,1 0,1 0,1 0,1

U_к 25 45 60 80 25 45 60 80

I_к 100 100 100 100 100 100 100 100

h₁₁_э - - - - - - - h₂₁_э 25-40 25-40 25-40 25-40 25-30 25-30 25-30 25-30

1 2 3 4