Исследование работы полупроводникового диода

Министерство образования РФ

Владимирский Государственный Университет

Кафедра Радиотехники и Радиосистем

Лабораторная работа №1.

«Исследование работы полупроводникового диода.»

Выполнил:

                                                Приняла:   

Владимир 2002.

1. Цель работы:

1.  Снять прямую ветвь вольтамперной характеристики при различных температурах окружающей среды.

2.  Снять обратную ветвь вольтамперной характеристики при различных температурах окружающей среды.

3.  Определить динамическое и статическое сопротивление диода при различных температурах окружающей среды.

4.  Построить зависимость статического и динамического сопротивления от приложенного напряжения.

5.  Определить коэффициент выпрямления для различных температур.

2. Паспортные данные исследуемых приборов:

КД208 – кремниевый выпрямительный диод.

U_пр=1В, I_пр=1А, U_обр=100В, I_обр=100мкА

Д7Ж – германиевый выпрямительный диод.

U_пр=0.5В,I_пр=300мА,  U_обр=400В,  I_обр=100мкА.

3. Схема исследования:

4. Таблицы с данными измерений:

Д7Ж при комнатной температуре t=22°C

t=39°C

t=22°C

t=41°C

КД208 при t=22°C

t=38°С

5. Графики снятых зависимостей и расчетные параметры:

                                                                                                                                                                    t =39°C

                                                                                                                                                                            t=22°C      t=38°C

                                                                                                                                                          Д-7Ж

                                                                                                                                                                               КД-208      t=22°C

                                                                                t=41°C

                  t=22°C     Д-7Ж                                 

6. Вывод по работе:

По графикам видно, что при увеличении температуры проводимость полупроводниковых диодов увеличивается при подаче прямого напряжения, так как концентрация носителей заряда увеличивается. При подаче обратного напряжения, при значительно разных температурах, ток диода увеличивается очень слабо и графики зависимости тока практически сливаются (для кремниевого диода, т.к. обратный ток германиевого диода не регистрируется). Теория подтвердилась на практике.