Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение
Высшего профессионального образования
Владимирский государственный университет
Кафедра РТ и РС
Лабораторная работа №2
По дисциплине: «Радиоматериалы и радиокомпоненты»
На тему: «Снятие статистических характеристик транзистора, включенного по схеме «общая база»»
Выполнил студент
группы РФ – 107
Проверил
Владимир 2008
Цель работы: исследование характеристик биполярных транзисторов при включении с общей базой.
Паспортные данные: П-210 – постоянный ток в режиме насыщения
Uкб>1,5 В
Uэб>0,5 В
Схема измерения характеристик транзистора
Таблицы измерений характеристик и параметров транзисторов
1. Входные характеристики
Iэ – ток коллектора
Uэб – напряжение между коллектором и базой
Uк=const
Uк, В |
Uэб, В |
Iэ, мА |
0 |
0 |
0 |
0,02 |
0,4 |
|
0,04 |
1,1 |
|
0,06 |
2,3 |
|
0,08 |
4,5 |
|
0,1 |
7,5 |
|
0,12 |
12,4 |
|
Uк, В |
Uэб, В |
Iэ, мА |
-2 |
0 |
0 |
0,02 |
0,8 |
|
0,04 |
1,7 |
|
0,06 |
2,9 |
|
0,08 |
5,4 |
|
0,1 |
9,1 |
|
0,12 |
14,9 |
Uк, В |
Uэб, В |
Iэ, мА |
-6 |
0 |
0 |
0,02 |
0,9 |
|
0,04 |
1,9 |
|
0,06 |
3,1 |
|
0,08 |
5,7 |
|
0,1 |
9,2 |
|
0,12 |
15,0 |
2. Выходные характеристики
Iк – ток эмиттера
Uкб – напряжение между эмиттером и базой
Iэ=const
Iэ, мА |
Uкб, В |
Iк, мА |
2 |
0 |
0 |
-1 |
0,4 |
|
-5 |
1,1 |
|
-8 |
2,3 |
Iэ, мА |
Uкб, В |
Iк, мА |
4 |
0 |
3,9 |
-1 |
4 |
|
-5 |
4,2 |
|
-8 |
4,7 |
Iэ, мА |
Uкб, В |
Iк, мА |
6 |
0 |
5,2 |
-1 |
5,4 |
|
-5 |
5,9 |
|
-8 |
6 |
Графики семейств входных и выходных характеристик транзисторов:
Вычисление h-параметров транзисторов, рассчитанные по снятым характеристикам
1. Определение h-параметров по входным характеристикам транзистора:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.