Снятие статистических характеристик транзистора, включенного по схеме «Общая база

Страницы работы

6 страниц (Word-файл)

Содержание работы

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

Высшего профессионального образования

Владимирский государственный университет

Кафедра РТ и РС

Лабораторная работа №2

По дисциплине: «Радиоматериалы и радиокомпоненты»

На тему: «Снятие статистических характеристик транзистора, включенного по схеме «общая база»»

Выполнил студент

 группы РФ – 107

Проверил

Владимир 2008

Цель работы: исследование характеристик биполярных транзисторов при включении с общей базой.

Паспортные данные: П-210 – постоянный ток в режиме насыщения

Uкб>1,5 В

Uэб>0,5 В

Схема измерения характеристик транзистора

Таблицы измерений характеристик и параметров транзисторов

1.  Входные характеристики

Iэ – ток коллектора

Uэб – напряжение между коллектором и базой

Uк=const

Uк, В

Uэб, В

Iэ, мА

0

0

0

0,02

0,4

0,04

1,1

0,06

2,3

0,08

4,5

0,1

7,5

0,12

12,4

Uк, В

Uэб, В

Iэ, мА

-2

0

0

0,02

0,8

0,04

1,7

0,06

2,9

0,08

5,4

0,1

9,1

0,12

14,9

Uк, В

Uэб, В

Iэ, мА

-6

0

0

0,02

0,9

0,04

1,9

0,06

3,1

0,08

5,7

0,1

9,2

0,12

15,0

2.  Выходные характеристики

Iк – ток эмиттера

Uкб – напряжение между эмиттером и базой

Iэ=const

Iэ, мА

Uкб, В

Iк, мА

2

0

0

-1

0,4

-5

1,1

-8

2,3

Iэ, мА

Uкб, В

Iк, мА

4

0

3,9

-1

4

-5

4,2

-8

4,7

Iэ, мА

Uкб, В

Iк, мА

6

0

5,2

-1

5,4

-5

5,9

-8

6

Графики семейств входных и выходных характеристик транзисторов:

Вычисление h-параметров транзисторов, рассчитанные по снятым характеристикам

1.  Определение h-параметров по входным характеристикам транзистора:

Похожие материалы

Информация о работе

Тип:
Отчеты по лабораторным работам
Размер файла:
26 Kb
Скачали:
0