Мощный транзистор НЧ. Методы и схемы для измерения параметров транзистора, страница 8

Б5-44

Б5-46

Выходное напряжение, В

0.1-29.9

0.01-9.99

Ток нагрузки, А

0.001-0.999

0.01-4.99

Дискретность установки:

        напряжения, мВ

        тока, мА

100

10

1

10

Нестабильность при изменении напряжения сети на ±10%:

        напряжения, %

        тока, %

0.01

0.01

0.05

0.05

Нестабильность при изменении нагрузки от 0 до 0.9 макс:

        напряжения, %

        тока, %

0.05

0.05

0.1

0.1

Погрешность установки:

        напряжения

        тока

±(0.5%Uуст+ 0.1%Uмакс)

±(1%Iуст+ 0.2%Iмакс)

Время установления рабочего режима при программировании

100 мс

Потребляемая мощность, В∙А

150

400

Габаритные размеры, масса

120х240х480 мм, 4.5 кг

405х254х160 мм, 4.5 кг


Измеритель статических параметров мощных транзисторов Л2-69.

·  Автоматизация измерений.

·  Цифровой отсчет

Предназначен для измерения и контроля основных статических параметров мощных транзисторов и диодов на входном, выходном и технологическом контролях, при ремонте и настройке радиоэлектронных устройств в лабораторных и цеховых условиях.

Прибор состоит из блока коммутации режимов и измерительного блока. Адаптеры выполнены единой формы и одинаковых габаритов и отличаются только контактной системой для подключения измеряемых транзисторов и диодов. Разъем для подключения адаптеров расположен на лицевой панели блока коммутации режимов.

Может работать как самостоятельный прибор или в составе многопостовой измерительной системы от ЭВМ посредством КОП.

Заменяет прибор Л2-42, по сравнению с которым имеет расширенные пределы измерения, более высокие режимные напряжения и токи, возможность измерения обратного тока и прямого напряжения диодов, повышенную производительность измерений, цифровую индикацию, встроенные средства автоматизации, возможность подключения к КОП.

            Технические характеристики:

Пределы измерения:

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: 5 – 9990

Обратные токи коллектора, эмиттера, коллектора-эмиттера, обратный ток диодов: 100 мкА – 0,1 А

Напряжения насыщения коллектора-эмиттера, базы-эмиттера: 0,05 В – 10 В

Постоянное прямое напряжение диода: 0,05 В – 10 В

Основная погрешность измерения: ±5%

Режимное напряжение: 0,4 В – 200 В

Режимный ток: 0,1 А – 50 А

            Общие характеристики:

Питание: 220 В±10%, 50 Гц

Потребляемая мощность: 10 В∙А, 150 В∙А

Диапазон рабочих температур: +50С …+400С

Габаритные размеры: 480х175х488 мм

Масса: 45 кг


Заключение:  


В ходе данной работы в качестве объекта измерения был выбран мощный транзистор НЧ ГТ703А (с основными параметрами: коэффициент передачи тока, граничная частота коэффициента передачи тока транзистора, обратный ток коллектора, крутизна, напряжения насыщения), а также рассмотрены методы и схемы для измерения параметров транзистора, определены погрешности для каждого из параметров.

Список литературы:

1.  Позднияков А. Д. Основы метрологии и радиоизмерения. Практикум. – Владимир: ВПИ, 1993.

2.  Солдатёнков С. Г. Измерители параметров транзисторов. – М.: Энергия, 1971.

3.  Столярский Э. Измерения параметров транзисторов. – М.: Советское радио, 1976.

4.  Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний (под ред. Бергельсона И. Г., Каменецкого Ю. А., Николаевского И. Ф.). – М.: Советское радио, 1968.

5.  Полупроводниковые приборы. Транзисторы высокой мощности. Справочник (под ред. Голомедова А.В.). – Москва: КубК-а, 1995.

6.  Ильин А. Измерение параметров транзисторов. Радиолюбитель №6,7 за 1999 г.

7.  Метрология и электро/радиоизмерения в телекоммуникационных системах (под ред. проф. Нефедова В. И.). – М.: Высшая школа, 2001.

8.  Электрорадиоизмерения. Учебное пособие для вузов (под ред. Винокурова В. И.). – М.: Высшая школа, 1986.