Мощный транзистор НЧ. Методы и схемы для измерения параметров транзистора

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

Владимирский государственный университет

Кафедра радиотехники и радиосистем

Курсовая работа

на тему: «Мощный транзистор НЧ»

по дисциплине Метрология

Вариант 9

                                                                                   Выполнила: ст-ка гр. РТ-107                                                                 

                                                                                                                  

                                                                                           Принял:

Владимир 2010

                                                            Содержание:

Введение……………………………………………………………….............…...3

 I.Технические характеристики выбранного транзистора……………...................4

II.Методы и схемы для измерения параметров транзистора

1.  Коэффициент передачи тока.………………..…...…...……….….……...........7

2.  Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора, включенного по схеме с ОБ.………………………………………………………………………..9

3.  Входное сопротивление транзистора, включенного по схеме с ОБ............11

4.  Обратный ток коллектора……………………………………………..……13

5.  Крутизна ………………………………………………………………............14

6.  Напряжения насыщения U_КЭнас………………………………………………15

III. Полная структурная схема разработанной установки…………………....17

IV.  Метрологические характеристики выбранных приборов

1.  Вольтметр универсальный В7-37.………………………………….…..........18

2.   Подстроечный резистор (серия POC6).………………….………..……..….19

3.  Генератор сигналов низкочастотный Г3-119……………………….……..21

4.  Источники питания Б5-44, Б5-46……………………………………….........22

5.  Измеритель статических параметров мощных транзисторов Л2-69………24

Заключение………………………………………………………………………..25

Список литературы……………………………………………………………….26

Введение:

Транзистор - это один из основных «активных» компонентов. Он представляет собой устройство, которое может усиливать входной сигнал по мощности. Увеличение мощности сигнала происходит за счёт внешнего источника питания. Транзистор является неотъемлемой частью всякой электронной схемы, начиная от простейшего усилителя или генератора до сложной цифровой вычислительной машины. Кроме того, транзистор служит основой построения межсоединений, как внутренних (между ИС), так и внешних.

Существует три основных схемы включения транзистора: с общей базой,  с общим эмиттером и с общим коллектором. Все эти схемы находят своё применение в электронике. В данной работе рассмотрим следующие параметры для данных схем включения: коэффициент передачи тока, граничная частота коэффициента передачи тока транзистора, обратный ток коллектора, крутизна, напряжения насыщения.  

I. Технические характеристики выбранного транзистора

Возьмем объектом измерений мощный транзистор НЧ ГТ703А, так как он имеет широкое применение.

Общие сведения о транзисторе ГТ703А:

Германиевый сплавный p-n-p-транзистор предназначен для работы в выходных каскадах усилителей низкой частоты радиовещательных приемников и в другой аппаратуре.

Корпус металлический, герметичный, с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 15 г.

Условия эксплуатации в соответствии с максимально допустимыми параметрами.

Обратный ток коллектора I_КБО, мА:

Значения минимальное 0,05

максимальное 0,5

при  U_К=20 В

Обратный ток эмиттера I_ЭБО, мА:

Значения минимальное –

максимальное 0,5

при U_Э=10 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер U_{КЭ нас}, В:

Значения минимальное –

максимальное 0,6

при I_К=3 А, I_Б=0,225 А

Напряжение насыщения база-эмиттер U_{БЭ нас}, В:

Значения минимальное –

максимальное 1,0

при I_К=3 А, I_Б=0,225 А

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, h_21Э:

Значения минимальное 30

максимальное 70

при U_К=1 В, I_Э=0,05 А

Линейность статического коэффициента передачи тока К_i:

Значения минимальное 0,6

максимальное 1,5

при U_К=1 В, I_Э=0,05 А

Предельная частота коэффициента передачи тока , кГц:

Значения минимальное 10

максимальное –

при U_К=2 В, I_Э=0,5 А

Максимально допустимые параметры:

Постоянный ток коллектора:

= 3,5 А  при Т_К=-40…+55˚С

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:

=20 В при R_Б=50 Ом, Т_К=-40…+55˚С

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер:

=25 В при R_Б=50 Ом, t_и1 мс, 10, Т_и=205˚С

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:

с теплоотводом при Т_К=-40…+40˚С

, Т_К=40…55˚С, =15 Вт без теплоотвода при Т_К=-40…+35˚С

, Т_с=35…55˚С, =1,6 Вт

Температура перехода:

=85˚С

Тепловое сопротивление переход-корпус:

=3 ˚С/Вт