Зависимость формы тока и режима от напряжения на электродах. Входные и выходные статические характеристики

ПЕРВАЯ ЧАСТЬ

Зависимость формы тока и режима от напряжения на электродах (E_см, U_возб, Е_к).

1. Меняем напряжение возбуждения

Эпюры тока коллектора:

Входные и выходные статические характеристики:

2. Меняем напряжение смешения

Эпюры тока коллектора:

Входные и выходные статические характеристики:

3. Меняем напряжение на коллекторе

Эпюры тока коллектора:

Входные и выходные динамические характеристики:

ВТОРАЯ ЧАСТЬ.

Зависимость режима работы АЭ, формы импульсов и постоянных составляющих токов АЭ от степени связи с нагрузкой.

Вывод:

На эпюрах выходного тока видно, что при изменение напряжение возбуждения, напряжения смещения. Изменяется угол отсечки, это объясняется тем, что угол отсечки определяется , где – напряжение отсечки (зависит от типа транзистора).

Рассмотрим  графики получившиеся при изменении напряжения возбуждения.

Мы видим, что ток базы начинает расти, когда режим работы ГВВ переходит через критический и становиться перенапряженным.

ГВВ становиться генератором напряжения, т.е. выходной ток зависит тока на входном электроде. До критического режима, он являлся генератором тока, т.е. выходной ток зависел от напряжения на входном электроде.

С ростом амплитуды входных колебаний наступает момент, когда минимальная амплитуда выходного напряжения задевает зону насыщения на выходных характеристиках транзистора. Этот момент является моментом критического режима. Дальнейший рост амплитуды увеличивает заход в зону насыщения и на эпюрах выходного тока появляется провал.

Рассмотрим графики получившиеся при изменении напряжения смещения.

Увеличивая напряжение, смещение мы увеличиваем входной ток и двигаем току на выходной характеристике вверх. Также при движении точки она достигает зоны насыщения, в нашем случае изначально точка находиться близко к граничному состоянию. и при дальнейшем увеличении ГВВ входит в перевозбужденный режим.

Рассмотрим графики получившиеся при изменении напряжения питания.

В этом случае влияние на входную характеристику начинается, после того как транзистор переходит критический режим. И это объясняется тем, что в транзистор в состоянии насыщения есть зависимость входного тока от выходного напряжения. (Iб = Iэ – Iк).

То что выходной ток почти линейно зависит от напряжения объясняется тем, что точка режим недонасыщения находиться в близи граничного режима, а так же транзистор находиться в режиме насыщения.

Во второй части работы мы наблюдали зависимость режима работы от коэффициента включения контура. Так как мы изменяли его, то мы меняли и Rн .Это влияло на выходную динамическую характеристику. И меняло положение рабочей точки.