Биполярные транзисторы. Представление транзистора в малосигнальном режиме работы четырехполюсником, страница 8

Первое состояние «выключено» (транзистор закрыт) определяется точкой А1 на выходных характеристиках транзистора; его называют режимом отсечки. В режиме отсечки ток базы I_б = 0, коллекторный ток I_к1 равен начальному коллекторному току, а коллекторное напряжение U_к = U_к1 ≈ Е_к. Режим отсечки реализуется при U_вх = 0 или при отрицательных потенциалах базы. В этом состоянии сопротивление ключа достигает максимального значения: R_max = , где R_T - сопротивление транзистора в закрытом состоянии, более 1 МОм.

Второе состояние «включено» (транзистор открыт) определяется точкой А2 на ВАХ и называется режимом насыщения. Из режима отсечки (А1) в режиме насыщения (А2) транзистор переводится положительным входным напряжением U_вх. При этом напряжение U_вых принимает минимальное значение U_к2 = U_к.э.нас порядка 0,2-1,0 B, ток коллектора I_к2 = I_к.нас ≈ Е_к/R_к. Ток базы в режиме насыщения определяется из условия: I_б > I_б.нас = I_к.нас / h₂₁.

Входное напряжение, необходимое для перевода транзистора в открытое состояние, определяется из условия: U_вх > I_б.нас · R_б + U_к.э.нас

Хорошая помехозащищенность и малая мощность, рассеиваемая в транзисторе, объясняется тем, что транзистор большую часть времени либо насыщен (А2), либо закрыт (А1), а время перехода из одного состояния в другое составляет малую часть от длительности этих состояний. Время переключения ключей на биполярных транзисторах определяется барьерными емкостями р-n-переходов и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе.

Для повышения быстродействия и входного сопротивления применяются ключи на полевых транзисторах.

Схемы ключей на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и с индуцированным каналом с общим истоком и общим стоком показаны на рисунке:

Для любого ключа на полевом транзисторе R_н > 10-100 кОм.

Управляющий сигнал U_вх на затворе порядка 10-15 В. Сопротивление полевого транзистора в закрытом состоянии велико, порядка 10⁸-10⁹ Ом.

Сопротивление полевого транзистора в открытом состоянии может составлять 7-30 Ом. Сопротивление полевого транзистора по цепи управления может составлять 10⁸-10⁹ Ом. (схемы "а" и "б") и 10¹²-10¹⁴ Ом (схемы "в" и "г").

Наверх

Силовые (мощные) полупроводниковые приборы

Мощные полупроводниковые приборы находят применение в энергетической электронике, наиболее интенсивно развивающейся и перспективной области техники. Они предназначены для управления токами в десятки, сотни ампер, напряжениями в десятки, сотни вольт.

К мощным полупроводниковым приборам относятся тиристоры (динисторы, тринисторы, симисторы), транзисторы (биполярные и полевые) и биполярные статически индуцированные транзисторы (IGBT). Они используются в качестве электронных ключей, выполняющих коммутацию электронных схем. Их характеристики стараются приблизить к характеристикам идеальных ключей.

По принципу действия, характеристикам и параметрам мощные транзисторы подобны маломощным, однако имеются определенные особенности.

Наверх

Силовые полевые транзисторы

В настоящее время полевой транзистор является одним из наиболее перспективных силовых приборов. Наиболее широко используются транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Для уменьшения сопротивления канала уменьшают его длину. Для увеличения тока стока в транзисторе выполняют сотни и тысячи каналов, причем каналы соединяют параллельно. Вероятность саморазогрева полевого транзистора мала, т.к. сопротивление канала увеличивается при увеличении температуры.

Силовые полевые транзисторы имеют вертикальную структуру. Каналы могут располагаться как вертикально, так и горизонтально.

Наверх

ДМДП-транзистор