БГТУ «ВОЕНМЕХ» им. Д.Ф.Устинова
Группа: Е441
Студент: Мелехин
Лабораторная работа № 32
Исследование зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков
от напряженности электрического поля
Цель работы: Определение диэлектрической проницаемости сегнетокерамики при различных значениях напряженности поля.
Приборы и принадлежности: исследуемый сегнетокерамический конденсатор, конденсатор известной емкости источник питания, переключатели, баллистический гальванометр.
Схема установки
Конкретные задачи:
1) Определить баллистическую постоянную С гальванометра.
2) Измерить заряд сегнетоэлектрического конденсатора при различных напряжениях. На основе этих данных найти значение ε.
3) Построить графики q = q(U) и ε = ε(E).
Порядок выполнения работы:
I) Определение баллистической постоянной гальванометра.
1) Включить в цепь с помощью переключателя П конденсатор С .
2) Установить при помощи потенциометра R напряжение U . Значения U и С указаны на установке.
3) Зарядить конденсатор C , а затем переключить его в цепь гальванометра. Измерить отброс α по шкале гальванометра в делениях шкалы. Измерения провести 5 раз и найти среднее значение.
II) Измерение заряда сегнетоэлектрического конденсатора при различных напряжениях.
1) Включить в цепь с помощью переключателя П конденсатор С .
2) Установить величину зарядного напряжения.
3) Зарядить а затем быстро разрядить конденсатор С через гальванометр. Измерить отброс α по шкале гальванометра в делениях шкалы. Замкнуть ключ КБ оставив конденсатор включенным в цепь гальванометра. Измерения провести 3 раза вычислить среднее значение < α >. Результаты занести в таблицу.
4) Записать в протокол электроемкость конденсатора С , диаметр круглых обкладок d конденсатора С и расстояние h между обкладками.
5) Записать число делений шкалы, цену деления и класс точности вольтметра.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.