lз возд = 2,68 10-2 Вт/ (м К)
3. Определяем перепад температур в зазоре между микромодульным массивом и корпусом:
Dtз = Pпл Rз, где Рпл - мощность ячейки, Вт.
2 этап для тепловых схем ТС 4, ТС 5 и ТС 6.
Расчет проводится на основании законов Ньютона и Стефана-Больцмана.
1. Задаемся перепадом Dtз = 10 °С.
2. Определяем площади верней, боковой и нижней поверхностей микромодульного массива:
SВ МММ = SН МММ = l1 · l2,
SБ МММ = (l1 + l2) · l3, где l1 l2 l3 - длина, ширина и высота микромодульного массива, м.
3. Расчет площадей поверхностей параллелепипеда, находящегося между микромодульным массивом и внутренней поверхностью корпуса, и отстоящего на расстоянии, соответствующего золотому сечению 0.67 от массива:
,
,
.
4. Расчет конвективных составляющих теплообмена в зазоре:
где dВ, dБ, dН - соответственно зазоры между верхней, боковой и нижней поверхностями микромодульного массива и корпусом;
lН - коэффициент теплопроводности между нижней поверхностью микромодульного массива и днищем корпуса.
5. Определение коэффициента лучеиспускания поверхности микромодульного массива:
, где tммм = tк + Dtз - температура на поверхности микромодульного массива;
eпр - приведенный коэффициент черноты (для микромодульного массива eпр » 0.9).
Определение теплопроводности зазора:
sз = (aкн + aл) · S'н + (aкб + aл) · S'б + (aкв + aл) · S'в.
Определение перепада температур в зазоре во втором приближении:
, где KW = 1 - коэффициент перемешивания воздуха.
Определим ошибку расчета:
.
Если d £ 0.05, то переходим к третьему этапу.
Если d > 0.05, то переходим к пункту 4 второго этапа, считая Dtз = Dtз*.
По окончании второго этапа определяем температуру нагретой зоны (микромодульного массива) с учетом поправки на давление (для закрытых и перфорированных блоков):
Dt'з = Dtз · КН2, где КН2 - коэффициент, зависящий от давления внутри блока:
tммм = tк + Dt'з.
Если есть сильнонагретый элемент (например, мощный транзистор), то считаем его, если нет – то центральный.
Теплоотводящие элементы: ИМС, транзисторы, резисторы, диоды.
Необходимо учитывать положение элемента относительно края платы, а также расположение элементов с одной или с двух сторон платы.
1. Расчет эквивалентных радиусов ЭРЭ:
, где Sосн i - площадь основания i-того ЭРЭ, м2.
2. Расчет приведенного коэффициента теплоотдачи:
, где dпл - толщина платы, м;
lпл - коэффициент теплопроводности платы, .
3. Вычисление переменных, зависящих от расстояния между рассчитываемым элементом и остальными:
ci = m ri, где ri - расстояние между рассчитываемым элементом и i-тым элементом.
Если ci £ 10, то i-тый элемент оказывает тепловое влияние на рассчитываемый элемент, иначе тепловое влияние не учитывается.
4. Вычисление перепада температур между ЭРЭ и нагретой зоной:
где Рэл - мощность рассчитываемого элемента, Вт;
Рэл i - мощность i-того элемента, Вт;
, - коэффициенты конвективного теплообмена;
Sэл, Sэл i - площади поверхности элементов, м2;
Sосн, Sосн i – площадь проекции элемента на плату, м2;
dз, dзi - толщина зазора между элементом и платой, м;
lз, lзi - коэффициент теплопроводности материала зазора между элементом и платой, ;
lз ≈ 0,13 … 0,16
К - коэффициент, учитывающий расположение элемента относительно края платы:
К = 1,14, если рассчитываемый элемент расположен от края платы на расстоянии больше, чем 3R,
К = 1, если рассчитываемый элемент расположен от края платы на расстоянии меньше, чем 3R;
В и М - коэффициенты:
М = 1, В = 0 - для двустороннего расположения элементов,
М = 2, В = 2,5 p R2 - для одностороннего расположения элементов;
n - число элементов, оказывающих тепловое влияние на рассчитываемый элемент;
К0(c), К1(c) - функции Бесселя:
Первая часть формулы учитывает перегрев, возникающий о собственной мощности, вторая – учитывает влияние соседних тепловыделяющих ЭРЭ.
5. Вычисление температуры элемента:
tэл = tс + Dtкс + Dtз + Dtэл.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.