Исследование полупроводниковых диодов

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

КРАСНОЯРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНСТИТУТ   РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

КАФЕДРА:  РТУ СВЧ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2

Исследование полупроводниковых диодов

КРАСНОЯРСК 1996.

Лабораторная работа №2

“Исследование полупроводниковых диодов”

 Цель работы: ознакомиться с характеристиками полупроводниковых диодов.

1. ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ

1.Изучить по конспекту лекций и рекомендуемой литературе следующие вопросы:

      а) механизмы электропроводности в полупроводниках;

      б) собственная и примесная электропроводности в полупроводниках;

      в) объяснить, что такое уровень Ферми и как его положение зависит от типа

          примеси, концентрации примеси и от температуры в примесных 

          полупроводниках;

      г) контактная разность потенциалов двух полупроводников;

      д) нарисовать энергетические диаграммы р-n перехода при отсутствии внешнего

          напряжения, при включении его в прямом и обратном направлениях;

      е) объяснить, на какие составляющие может быть разложен ток через p-n переход

          при прямом включении;

      ж) нарисовать распределение плотности объемного заряда и напряженности

          электрического поля в p-n переходе при отсутствии напряжения, при

          приложении прямого и обратного напряжений;

      з) объяснить зависимость прямого и обратного токов в p-n переходе от

          температуры;

      и) объяснить, что такое емкость p-n перехода и как она зависит от величины и

          полярности приложенного напряжения;

      к) нарисовать устройство точечных и плоскостных диодов;

      л) объяснить различие характеристик германиевых и кремниевых

          полупроводниковых диодов;

      м) объяснить причины отличий вольт-амперной характеристики реального диода от