Исследование полупроводниковых диодов, страница 3

4. ОБРАБОТКА ПОЛУЧЕННЫХ ДАННЫХ

    Определить дифференциальное сопротивление диода для точек, указанных преподавателем.

5. ОТЧЕТ

Отчет должен содержать:

     1) основные паспортные данные испытуемых полупроводниковых диодов;

     2) измерительные схемы;

     3) графики всех снятых кривых;

     4) результаты обработки полученных данных  согласно разделу №3;

     5) анализ полученных результатов.


Рис 1. Схема прямого включения диода.

Рис 2. Схема обратного включения диода.


Таблица №1

U обр.

max (В)

I пр.

max (мА)

I обр.

max (мкА)

Д2В

40

25

250

Германиевый

Д2К

100

8

250

Германиевый

Д9Б

10

90

250

Германиевый

Д9К

30

30

60

Германиевый

Д10А

10

5

200

Германиевый

Д10Б

10

8

200

Германиевый

Д12

75

50

250

Германиевый

Д18

20

20

50

Германиевый

Д311

30

40

100

Германиевый

Д101

100

30

10

Кремниевый

Д102

50

30

10

Кремниевый

Д102А

50

30

10

Кремниевый

Д104А

75

U пр.не

более 1В

10

Кремниевый

Д106

30

30

5

Кремниевый

Д106А

30

30

5

Кремниевый

Д220

50

50

1

Кремниевый

Д220А

70

50

1

Кремниевый

Д220Б

100

50

1

Кремниевый

Д223

50

50

1

Кремниевый

Д226

400

300

300

Кремниевый

2Д503А

400

50

1

Кремниевый

Д219А

70

50

1

Кремниевый

Д223Б

150

50

1

Кремниевый