Ознакомление с основными свойствами сегнетоэлектрических материалов, исследование закономерностей нелинейной спонтанной поляризации осциллографическим методом

Страницы работы

Содержание работы

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет

Кафедра ЭТМ

Отчет по лабораторной работе № 2.1

"Исследование сегнетоэлектриков"

                                                            Студенты:                    Зиборов Александр

                                                                                                Петухов Денис

                                                                                                Полушкин Алексей

                                                            Группа:                        3026/1

Преподаватель:            Костенко Эмма

Михайловна

СПбГПУ

2002

Цель работы  –  ознакомление с основными свойствами сегнетоэлектрических материалов, исследование закономерностей нелинейной спонтанной поляризации осциллографическим методом.

            Схема установки:

 


            Расчетные формулы и соотношения, используемые в работе:

 


                                                ,

             где u – масштаб по горизонтали;   

                   U – показания вольтметра при градуировке, В;

                   x – горизонтальное отклонение луча от центра экрана, дел.

 


где q – масштаб по вертикали;

       Qa – амплитудное значение заряда;

            y – вертикальное отклонение луча от центра экрана при градуировке, дел.

       C01 – величина образцовой ёмкости слюдяного конденсатора;

       C0 – конденсатор высокой ёмкости.

                        Результаты измерений и вычислений:

Табл. 1. Определение масштабов горизонтального и вертикального отклонения

 луча.

U, В

x, дел.

u, В/дел.

y, В/дел.

С0, мкФ

С01, пФ

q, Кл/дел.

150

40

3,75

7

10

2200

3,86·10-8

            Табл. 2. Результаты измерений и расчетов.

Измеренные величины

Расчетные величины

U, В

xa, дел

ya, дел

xc, дел

yr, дел

s, дел2

Ua, В

Qa    ·10-6, Кл

Cст  ·10-9, Ф

Uc, В

Qr  ·10-7, Кл

kпр

tgd

150

40

30

7

12

680

150

1,16

7,72

26,25

4,63

0,400

0,090

140

36

29

6

12

135

1,12

8,29

22,5

4,63

0,414

130

34

28

6

11

610

127,5

1,08

8,48

22,5

4,25

0,393

0,102

120

31

27

5,5

11

116,25

1,04

8,97

20,625

4,25

0,407

110

28

25

5,5

11

550

105

0,97

9,19

20,625

4,25

0,440

0,125

100

25

24

5,5

10,5

93,75

0,93

9,88

20,625

4,05

0,438

90

22

23

5,5

10,5

325

82,5

0,89

10,8

20,625

4,05

0,457

0,102

80

21

19

5

10

78,75

0,73

9,31

18,75

3,86

0,526

70

17

18

5

8,5

210

63,75

0,70

10,9

18,75

3,28

0,472

0,109

60

14

14

5

7

52,5

0,54

10,3

18,75

2,70

0,500

50

11

11

4

4,5

164

41,25

0,43

10,3

15

1,74

0,409

0,216

40

9

8

2,5

2,5

33,75

0,31

9,15

9,375

0,97

0,313

30

7

4

2,5

1,5

55

26,25

0,15

5,88

9,375

0,58

0,375

0,313

            Пример расчета для U = 110 В:

 


Табл. 3. Определение температуры точки Кюри сегнетоэлектрического

конденсатора для U = 40 В и xa = 7 дел.

T, °C

18

20

25

30

35

40

45

50

55

60

70

75

ya, дел

14

15

15

15

15

15

16

19

17

14

12

9

Qa·10-7, Кл

5,4

5,79

5,79

5,79

5,79

5,79

6,18

7,33

6,56

5,40

4,63

3,47

Cст·10-8, Ф

2,06

2,21

2,21

2,21

2,21

2,21

2,35

2,79

2,50

2,06

1,76

1,32

            Из графика (рис. 3) видно, что Тк = 52 °C

                        Анализ полученных результатов и выводы:

            При выполнении работы были исследованы свойства сегнетоэлектрика, затем были построены графики зависимостей Qa(U), Cст(U), Qr(U), tgd(U) (рис.1), петли гистерезиса  при разных значениях напряжения U (рис.2), а так же график зависимости Сст(Т).

            Из графиков видно, что статическая ёмкость сегнетоэлектрического конденсатора Сст зависит от напряжения U. Таким образом, изменяя напряжение можно влиять на ёмкость. Это объясняется нелинейной зависимостью поляризованности сегнетоэлектрика от напряженности поля.

            На ёмкость сегнетоэлектрического конденсатора так же можно повлиять путем изменения температуры. Кривая такой зависимости имеет резко выраженный максимум. Температура в точке этого максимума называется температурой Кюри Тк. При температурах ниже Тк в сегнетоэлектрике существует спонтанная поляризация и существует гистерезис. При температурах выше Тк спонтанная поляризация исчезает и петля гистерезиса превращается в линейную зависимость заряда на обкладках от напряжения.

Похожие материалы

Информация о работе