Заторможенные мультивибраторы обладают устойчивым состоянием, в котором отсутствуют релаксационные процессы внутри схемы. Под воздействием внешнего пришедшего в произвольный момент запускающего импульса схема переходит в состояние, длительность которого определяется процессом релаксации запасённой в реактивности схемы энергии. По окончании этого процесса схема возвращается в исходное состояние, формируя таким образом импульс с длительностью, определяемой параметрами мультивибратора. Предполагается, что запускающий импульс к этому моменту закончился и схема останется в устойчивом состоянии до прибытия следующего.
В соответствии с
изложенным схема заторможенного мультивибратора (рис.5.9) может быть получена
заменой в автоколебательном мультивибраторе одной из релаксационных связей
(через конденсатор) кондуктивной связью (через резистор, как в триггере).
Исходное состояние схемы определено: транзистор насыщен
током через резистор
, а
заперт,
т.к. к его базе приложено коллекторное напряжение насыщенного
. Конденсатор
заряжен
до напряжения питания через резистор
. Запускающий импульс
может быть подан, например, на базу
(отрицательной
полярности). Выход из насыщения
повлечёт подачу на
базу
открывающего напряжения с последующим
уменьшением его коллекторного напряжения и (через конденсатор
) ускорением закрытия
(регенеративный процесс опрокидывания). В
результате
перейдёт в насыщение (
, а
будет
закрыт отрицательным напряжением на конденсаторе в течение времени его
перезаряда (длительности импульса), определяемой как в симметричном
мультивибраторе:
.
По окончании времени релаксации транзистор
откроется и схема регенеративно вернётся в
исходное состояние. На коллекторе
формируется
прямоугольный импульс положительной полярности с амплитудой
.
Резистор для
ускорения процесса опрокидывания может быть шунтирован конденсатором малой
ёмкости.
На коллекторе
транзистора формируется импульс отрицательной
полярности с амплитудой, равной напряжению питания Е, но имеющий достаточно
длинный фронт закрытия
, определяемый
процессом восстановления заряда конденсатора
.
Заторможенный мультивибратор с эмиттерной связью
Используя такой же,
как выше, подход к схеме триггера с эмиттерной связью (рис.4.12) можно
получить распространённую схему заторможенного мультивибратора (рис.5). В этой
схеме кондуктивная связь транзисторов в триггере заменена ёмкостной. В исходном
состоянии транзистор насыщен (
),
а
закрыт положительным потенциалом на
эмиттере. Это условие предъявляет требования к резисторному делителю
. Конденсатор С заряжен до напряжения
. Запускающий импульс открывает
и положительная обратная связь через
резистор
осуществляет опрокидывание схемы:
переходит в насыщение, а
закрывается отрицательным напряжением на
конденсаторе С. Напомним, что, как и в схеме триггера рис.4.12 насыщение
реализуется при
.
Длительность пребывания схемы в этом состоянии (длительность импульса)
определяется процессом релаксации – перезаряда конденсатора С от начального
отрицательного напряжения до
. Пользуясь стандартными
приёмами, определим
, (5.6)
где -
напряжение на эмиттере при насыщенном
.
Выходное напряжение представляет собой
импульс положительной полярности амплитудой
с
формой , близкой к прямоугольной, поскольку выходная цепь изолирована от
действия конденсатора С.
5.6. Блокинг-генератор
Блокинг-генератор представляет собой релаксатор, в котором накопление и расход энергии происходит в основном в магнитном сердечнике трансформатора. Такие схемы предназначены для формирования импульсов в электрических цепях значительной мощности, исторически – в импульсных модуляторах РЛС. Как и другие релаксаторы, блокинг – генератор может работать в автоколебательном и в ждущем режимах.
На рис.5.11а
показана простейшая схема блокинг–генератора. Необходимая для регенеративного
переключения положительная обратная связь при использовании единственного
транзистора обеспечивается встречным включением коллекторной и базовой обмоток
трансформатора (точки на рис.5.11а). При открытии транзистора нарастание тока в
коллекторной обмотке создаёт падение напряжения,
которое благодаря встречному включению базовой обмотки
прикладывается
к базе транзистора в открывающем направлении и увеличивает коллекторный ток
ещё больше (положительная обратная связь). Регенеративный процесс приводит
транзистор в режим насыщения.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.