вается выше, чем аналогичных полупроводниковых, в которых все элементы изготовляются одновременно.
Основными достоинствами гибридных интегральных схем являются возможность создания серии микросхем при сравнительно коротком цикле их разработки, возможность получения пассивных элементов широкой номенклатуры с жесткими допусками, высокий процент выхода годных микросхем при изготовлении. Отсутствие корреляционной связи параметров активных и пассивных элементов гибридных микросхем упрощает проектирование микросхем и улучшает их характеристики. Особое преимущество гибридных микросхем по сравнению с полупроводниковыми, очень важное при создании высокочастотных резонансных усилителей, заключается в сравнительно небольших паразитных связях между элементами.
В отличие от дискретных схем усилительные элементы микросхем часто состоят не только из одного или двух транзисторов, но и из трех, четырех и более, включенных различными способами, например ОК—ОБ— OK, ОК—ОБ—ОК—ОБ и т. д.
С одной стороны, это связано с желанием получить наибольшее усиление от одной микросхемы, причем в широком диапазоне частот и при минимальной неравномерности амплитудно-частотной характеристики. В этом случае микросхема с одинаковым успехом может быть использована на любой частоте рабочего диапазона и получается наиболее универсальной.
С другой стороны, в отличие от дискретных усилителей количество транзисторов в усилительном элементе микросхемы почти не увеличивает ее габаритов и массы. Здесь идет речь только о тех транзисторах микросхемы, которые непосредственно участвуют в процессе усиления сигналов и могут быть отнесены к многотранзисторному усилительному элементу. Помимо усилительных, в микросхеме могут быть вспомогательные транзисторы, предназначенные для установки режима по постоянному току и его стабилизации в диапазоне температур, автоматической регулировки усиления (АРУ) и т. д.
Постоянный ток эмиттера транзисторов микросхемы редко превышает 3—4 мА. В подавляющем большинстве случаев он еще меньше и обычно равен 0,5—2 мА, что объясняется очень малыми габаритами микросхем, плохим теплоотводом от транзисторов и незначительными рассеиваемыми мощностями. Кроме того, стремление сократить количество конденсаторов, изготовление которых сложнее и значительно дороже, чем изготовление других элементов микросхемы, приводит к построению
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
