Применение той или иной схемы определяется типом генераторного прибора. В магнетронных генераторах применяется вторая разновидность схемы, т.к. необходимо на катод магнетрона подавать импульсы отрицательной полярности. Первая же схема формирует импульсы положительной полярности. Во второй схеме с учетом того, что заряд накопителя осуществляется при запертом генераторе , сопротивление генератора шунтируется сопротивление , через который и протекает ток заряда. При использовании в качестве накопителя конденсатор его заряд и разряд происходит по экспоненциальному закону, поэтому форма формируемого импульса существенно отличается от прямоугольной. При таком накопителе используется неполный разряд накопителя, с последующим подзарядом.
(рисунок 13,14)
В течении времени, равного длительности импульса, энергия накопителя изменяется . После прекращения разряда энергия накопителя восстанавливается от источника питания. Для исключения шунтирования генератора зарядным сопротивлением, которое предотвращает замыкание источника питания через малое сопротивление открытого генератора, берется очень большим. На практике . Схема модулятора с частичным разрядом накопителя будет выглядеть следующим образом:
(схема 5)
В качестве накопителей используется ёмкость, но емкость разряжается по экспоненциальному закону, поэтому серьезно требовать прямоугольного импульса нелогично, из-за этого используется только частичный заряд накопителя, т.е. емкость разряжается частично, в остальное время она заряжается. В качестве ключа используется электровакуумный прибор (триод). Использование триода имеет свои плюсы и минусы. В данном случае сопротивление резистора не должно шунтировать сопротивление открытого генераторного прибора, поэтому его величина выбирается в пределах в 10-15 раз больше, чем сопротивление открытого генераторного прибора. В качестве ключа используется электровакуумная лампа, которая закрыта напряжением смещения в момент заряда накопителя. Конденсатор заряжается от источника питания через зарядное сопротивление и через сопротивление , при этом , накопитель заряжается до напряжения источника питания. Таким образом, накопитель становится источником энергии. При подаче на вход ключа импульса с подмодулятора, длительность которого равна длительности формируемого высокочастотного колебания, лампа отпирается, и накопитель начинает разряжаться, создавая отрицательный импульс, вызывающий генерирование высокочастотных колебаний. Таким образом, высокочастотный генератор работает в течение времени длительности импульса подмодулятора.
В процессе формирования высокочастотных колебаний можно, изменяя длительность и период следования импульсов подмодулятора, осуществлять более сложные виды модуляции. Однако, на форму формируемого импульса оказывает влияние паразитные емкости , включенные параллельно ключу и параллельно генератору. Первая паразитная емкость заряжается одновременно с накопителем и практически до того же напряжения, в это время вторая паразитная емкость разряжена. При разряде накопителя, одновременно с ним, будет разряжаться и первая паразитная емкость, что приведет к увеличению длительности фронта формируемого импульса. Одновременно с разрядом первой паразитной емкости будет заряжаться вторая паразитная емкость. И, после размыкания ключа и окончания разряда накопителя, вторая паразитная емкость разряжается, увеличивая длительность среза импульса, и, как следствие, генерирование уже паразитных колебаний. Для ослабления влияния паразитных емкостей параллельно генератору включается корректирующий дроссель, который совместно с паразитными емкостями образует колебательный контур, тем самым уменьшает длительность среза импульса. Однако, во время того, когда паразитное колебания совпадает по знаку с основными колебаниями, могут возникнуть дополнительные паразитные колебания. Чтобы исключить паразитные колебания, параллельно ставится высоковольтный диод, который практически не влияет на разряд накопителя из-за большого внутреннего сопротивления, но открыт для паразитных колебаний противоположной полярности, следовательно, уменьшает их амплитуду. Величина индуктивности дросселя выбирается такой, чтобы ток, протекающий через дроссель, не успел значительно возрасти за время длительности фронта импульса. Считается нормальным, когда ток дросселя равен 1/10 тока разряда. Исходя из того, что спад вершины формируемого импульса определяется процессом разряда накопителя, величина ёмкости должна выбираться исходя из условия требуемого значения . , , а значит .
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.