Введение в специальность. Конструирование РЭС. Общие вопросы, страница 8

Общая тенденция: уменьшение габаритов подобной аппаратуры.

Большое разнообразие требует понятие наборов показателей по которым можно сравнивать существующие модели РЭС.

Показатели качества конструкции

Сложность (прямопропорциональна от числа составляющих от элементной базы и чсила соединений между ними)

Число элементной базы, образующих данную РЭС

Объем РЭС

Коэффициент интеграции (коэффициент использования физического объема) - использование физического объема

Общая масса устройства

Общая мощность потребления

Площадь занимаемая РЭС

Собственная частота колебаний конструкций

Степень герметичности конструкции

Вероятность безотказной работы

Средняя наработка на отказ

Степень унификации

Автоматизация конструкторских работ

2.2. Иерархическая схема типовых конструктивных РЭС на основе базовых несущих конструкций.

3 подхода:

- применение функциональных модулей малой сложности. Радиоэлементы выбираются на основе каталогов.

- компоновка РЭС из крупных функционально законченных блоков.

- использование модульного принципа конструирования.

Существует несколько систем несущих конструкций.

1. УТК (унифицированные типовые конструкции) - распространяется на технические средства, приборы, средств автоматизации.

- 0 - монтажная плата

- 1 - каркасы

- 2 - блочные каркасы

- 3 - стойка шкаф

2. БНК (базовые несущие конструкции) - все РЭС.

3. Несущая конструкции по МЭК 297 -

- монтажная плата

- частичный корпус

- комплексный корпус

Дюймовая система мер.

Несущие конструкции РЭС:

- каркасные (жесткие неразборные, жесткие сборные)

- панельные (раскрывающиеся, нераскрывающиеся)

- панельные с шасси

- коробчатые

- бескаркасные

2.3. Пассивные и активные элементы. Конструкторско-технологические параметры.

Элементная база - это совокупность ЭРЭ применяемых в электромонтаже с учетом конструктивно-функциональной принадлежности.

ЭРЭ - прибор устройство или детали, выполняющий функции преобразование, определение или переключение электрических сигналов, реализуемые электрической схемой.

Требование

Надежная эксплуатации

Устойчивость к внешним воздействиям

Взаимозаменяемость.

Стандартизации ЭРЭ обеспечивает эффективность, надежность и взаимозаменяемость.

Общие требования:

- Эксплуатационные (заданный срок службы, устойчивость к климатике, устойчивость к механическим воздействиям, устойчивость к внешним электромагнитным воздействиям, отсутствие излучения электромагнитных волн от самих ЭРЭ)

- Конструкторско-технологические (удобство сборки, регулировки и ремонта, обеспечение взаимозаменяемости по геометрическим параметрам, максимальное сокращение номенклатуры в одном РЭС, технологичность - низкая трудоемкость и материалоемкость)

- Экономические (оптимальное соотношение между техническими требованиями конструкции РЭС с реальными возможностями производства с учетом себестоимости).

Пассивные элементы

Резисторы конденсаторы

Полупроводниковые (диоды)

2.4.  Изготовление микросхем

2.4.1. Тонкопленочные и толстопленочные микросхемы

Микроэлектроника - это раздел электроники которая охватывает разработку, исследование и применение интегральных схем

ИС - это совокупность большого количества взаимосвязанных элементов (транзисторов, диодов, конденсаторов), изготовленных в едином технологическом цикле на одной подложке и выполняющих определенную функцию -  преобразования информации.

Интегральная - отображает факт объединения отдельных компонентов в  конструктивный единый прибор.

Классификация:

Полупроводниковые - это ИС, элементы которой выполнены с приповерхностным слоем полупроводникового кристалла.

Пленочные - это микросхемы элементы которой выполнены в виде пленой (тонких или толстых) нанесенных на поверхность диэлектрической подложки

Тонкопленочные - до 2 мкм

Толстопленочные -  10 мкм

Гибридная ИС - это схема пленочных пассивных элементов и дискретных активных компонентов закрепленных на одной подложке.

Рассмотрим классификацию ИС:

Пленочная технология:

Пассивные элементы пленочных ИС:

2.4.2. Технологические основы производства полупроводниковых интегральных схем

(на диктофоне, которую скинет лена)

Лекция 8 (13.03.2013)

Берется затравка моно кремния и опускается до соприкосновения с жидким поли кремния. Кусочек кремния медленно поднимается к верху одновременно с вращением и происходит рост моно кремния на этой затравке из поли кремния.