Федеральное агентство связи
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики»
(ФГОБУ ВПО «СИБГУТИ»)
кафедра Технической Электроники
«Синтез и исследование базовых элементов ТТЛ, ТТЛШс использованием макромоделей»
Выполнила: ст. гр. Н-05
Осадшая Н.О.
Проверил: доцент, к.т.н.
Брикман А.И.
Новосибирск, 2014
1. Цель работы
Создание ММ для описания TTL/TTLS.
Проверка корректности ММ по результатам исследования основных свойств.
2. Подготовка к работе.
2.1.Схема для составления ММ TTL2Z– Рис.6.3.
В рамках Л.Р. нужно будет создать ММ МЭТ, которая будет присутствовать в схеме 2И-НЕ вместо двух транзисторов Q0in и Q1in.
Имя создаваемой модели – MET. Внешние узлы– in0, in1, b1, b2.
Описание ММ MET находится в том же файле, что и описание основной ММ TTL2Z. Но теперь эти два транзистора входят в нее, как единая ММ со своим ID Xind.
Транзистор KT315E
3. Программа описания схемы в PSpice.
3.1. Для лабораторной работы №6.
3.2. Для лабораторной работы№7
4. Полученные графики и таблицы.
4.1. Определение статического потребления тока.
Таблица 6.1.
Iin |
Iout |
I(Rb1) |
I(Rc2) |
|
Vin="1" |
0.3m |
36.9m |
0.98m |
2.20m |
Vin="0" |
-1.5m |
37.4m |
1.6m |
2.24m |
4.2. Исследование динамических свойств элемента TTL.
При определении параметров моделирования, значения pw=200 nsоказалось не достаточным. Для более наглядной работы с графиком, приняли pw=800 ns.
Таблица 6.2.
TTL1 |
TTL2 |
TTL3 |
TTL4 |
TTL3 (Z ßà"0") |
TTL3 (Z ßà"1") |
|
ton |
0.56u |
2.53n |
0.45n |
1.34n |
0.46n |
1.72n |
toff |
1.81n |
1.4u |
0.58u |
0.62u |
0.58u |
1.83u |
tdel |
0.28u |
0.7u |
0.29u |
0.31u |
0.29u |
0.9u |
Таблица 6.3.
ISTAT("1") |
ISTAT("0") |
ISTAT.СР |
IПОТР.("СР") |
IDIN.CP. |
|
S=2 |
24.6m |
3.05m |
18.6m |
25m |
18m |
S=3 |
24.5m |
3.5m |
18.6m |
24m |
16.6m |
S=1.5 |
24.4m |
14.6m |
19.5m |
23m |
13.8m |
S=2, tf=tr=20n |
24.5m |
18.5m |
12.25m |
22.5m |
12.9m |
*S=2, f=2∙f0 |
24.3m |
13.7m |
18m |
21m |
12.6m |
*S=2, f=0.5∙f0 |
22.0m |
10.5m |
16m |
19m |
11.5m |
4.4. Для доказательства правильности (п.п.3.2.5.)
5.Исследование схем с Z-состоянием на выходе.
Iin, мА |
Iout, мА |
I(Rb1) , мА |
I(Rc2) , мА |
I(Ra), мА |
|
Vin="1" |
3.35 |
25.44 |
0.84 |
0.012 |
26.39 |
Vin="0" |
-1.48 |
0 |
1.48 |
2.49 |
3.96 |
5.1. При Z-состоянии только элемента TTL3
5.2. При Z-состоянии только элемента TTL4
5.3.Определение времен задержки для выхода с Z-состоянием.
5.4. Конфликты на выходе при наличии/отсутствии Z-состояния.
1) бесконфликтная ситуация для TTL1: Vin1, Vout, I(Ra1)
2) бесконфликтная ситуация для TTL2, Vin2, Vout, I(Ra2)
3) конфликтная ситуация: Vout, I(Ra1), I(Ra2)
Задания к лабораторной работе №7.
6.1. Получение СПХ. Определение порога переключения.
6.2. Определение статического потребления тока.
I(Rttl) |
I(Rttls) |
|
Vin = «1» |
6.86mA |
6.16mA |
Vin = «0» |
45.78mA |
2.004mA |
6.3. Сравнение динамических свойств элементов TTL иTTLS.
6.3.1. Измерение времен задержки.
TTL3 |
TTLS3 |
|
ton |
3.34ns |
0.51ns |
toff |
0.19us |
0.16ns |
tdel |
6.3.2. Статическое и динамическое потребление тока.
TTL |
TTLS |
|||||
Iпотр.(ср) |
Istat.cp |
Idin.cp. |
Iпотр.(ср) |
Istat.cp |
Idin.cp. |
|
S=2, tr=tf=1n |
9.78mA |
12.46mA |
7.63mA |
4.33mA |
4.54mA |
4.18mA |
S=2, tr=tf=50n |
10.46mA |
11.73mA |
7.71mA |
4.74mA |
5.12mA |
4.46mA |
6.3.3. Определение максимальной частоты.
6.3.4.1. Рост запаздывания переключения у TTL.
6.3.4.2. Выходной сигнал теряет цифровую форму.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.