Синтез и исследование базовых элементов ТТЛ, ТТЛШс использованием макромоделей

Страницы работы

14 страниц (Word-файл)

Содержание работы

Федеральное агентство связи

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

(ФГОБУ ВПО «СИБГУТИ»)

кафедра Технической Электроники

Лабораторная работа №6, 7

«Синтез и исследование базовых элементов ТТЛ, ТТЛШс использованием макромоделей»

Выполнила: ст. гр. Н-05

Осадшая Н.О.

Проверил: доцент, к.т.н.

Брикман А.И.

Новосибирск, 2014

1. Цель работы

Создание ММ для описания TTL/TTLS.

Проверка корректности ММ по результатам исследования основных свойств.

2. Подготовка к работе.

2.1.Схема для составления ММ TTL2Z– Рис.6.3.

В рамках Л.Р. нужно будет создать ММ МЭТ, которая будет присутствовать в схеме 2И-НЕ вместо двух транзисторов Q0in и Q1in.

Имя создаваемой модели – MET. Внешние узлы– in0, in1, b1, b2.

Описание ММ MET находится в том же файле, что и описание основной ММ TTL2Z. Но теперь эти два транзистора входят в нее, как единая ММ со своим ID Xind.

Транзистор KT315E

3. Программа описания схемы в PSpice.

3.1. Для лабораторной работы №6.

Снимок2.JPG

3.2. Для лабораторной работы№7

1.JPG

2.JPG

4. Полученные графики и таблицы.

4.1. Определение статического потребления тока.

Таблица 6.1.

Iin

Iout

I(Rb1)

I(Rc2)

Vin="1"

0.3m

36.9m

0.98m

2.20m

Vin="0"

-1.5m

37.4m

1.6m

2.24m

4.2. Исследование динамических свойств элемента TTL.

При определении параметров моделирования, значения pw=200 nsоказалось не достаточным. Для более наглядной работы с графиком, приняли pw=800 ns.

Таблица 6.2.

TTL1

TTL2

TTL3

TTL4

TTL3 (Z ßà"0")

TTL3 (Z ßà"1")

ton

0.56u

2.53n

0.45n

1.34n

0.46n

1.72n

toff

1.81n

1.4u

0.58u

0.62u

0.58u

1.83u

tdel

0.28u

0.7u

0.29u

0.31u

0.29u

0.9u

Таблица 6.3.

ISTAT("1")

ISTAT("0")

ISTAT.СР

IПОТР.("СР")

IDIN.CP.

S=2

24.6m

3.05m

18.6m

25m

18m

S=3

24.5m

3.5m

18.6m

24m

16.6m

S=1.5

24.4m

14.6m

19.5m

23m

13.8m

S=2, tf=tr=20n

24.5m

18.5m

12.25m

22.5m

12.9m

*S=2, f=2∙f0

24.3m

13.7m

18m

21m

12.6m

*S=2, f=0.5∙f0

22.0m

10.5m

16m

19m

11.5m

Снимок.JPG

4.4. Для доказательства правильности (п.п.3.2.5.)

5.Исследование схем с Z-состоянием на выходе.

Iin, мА

Iout, мА

I(Rb1) , мА

I(Rc2) , мА

I(Ra), мА

Vin="1"

3.35

25.44

0.84

0.012

26.39

Vin="0"

-1.48

0

1.48

2.49

3.96

5.1. При Z-состоянии только элемента TTL3

5.2. При Z-состоянии только элемента TTL4

5.3.Определение времен задержки для выхода с Z-состоянием.


5.4. Конфликты на выходе при наличии/отсутствии Z-состояния.

1)  бесконфликтная ситуация для TTL1: Vin1, Vout, I(Ra1)

2)  бесконфликтная ситуация для TTL2, Vin2, Vout, I(Ra2)

3)  конфликтная ситуация: Vout, I(Ra1), I(Ra2)


Задания к лабораторной работе №7.

6.1. Получение СПХ. Определение порога переключения.

6.2. Определение статического потребления тока.

I(Rttl)

I(Rttls)

Vin = «1»

6.86mA

6.16mA

Vin = «0»

45.78mA

2.004mA

6.3. Сравнение динамических свойств элементов TTL иTTLS.

6.3.1. Измерение времен задержки.

TTL3

TTLS3

ton

3.34ns

0.51ns

toff

0.19us

0.16ns

tdel

6.3.2. Статическое и динамическое потребление тока.

TTL

TTLS

Iпотр.(ср)

Istat.cp

Idin.cp.

Iпотр.(ср)

Istat.cp

Idin.cp.

S=2, tr=tf=1n

9.78mA

12.46mA

7.63mA

4.33mA

4.54mA

4.18mA

S=2, tr=tf=50n

10.46mA

11.73mA

7.71mA

4.74mA

5.12mA

4.46mA

6.3.3. Определение максимальной частоты.

6.3.4.1. Рост запаздывания переключения у TTL.

6.3.4.2. Выходной сигнал теряет цифровую форму.

Похожие материалы

Информация о работе