Исследование усилительного каскада на биполярных транзисторах. Часть 2

Страницы работы

7 страниц (Word-файл)

Содержание работы

Федеральное агентство связи

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики»

(ГОУ ВПО «СИБГУТИ»)

кафедра Технической Электроники

Лабораторная работа №1

«Исследование усилительного каскада на БТ»

часть 2

Выполнил: студент гр. Н-05

Лисютин С.М.

Проверил: доцент, к.т.н.

Брикман А.И.

Новосибирск,  2014

1. Цель работы:

Комплексное исследование свойств усилительного каскада с использованием только программных методов анализа в режиме постоянного тока и временной области.

2. Подготовка к работе.

2.1. Основная схема исследования – простейший усилительный каскад

Рис.1.1. Простейший усилительный каскад на БТ.

2.2. Операторы, EGF и макросы.

макр2.JPG

2.3. Программа описания схема в PSpice.

.lib                                                      nom.lib

.options     noecho                          nomod                                                                                     {изчезновения повтора описания}

.param       BF=600                         Vdc=18                         Vac=1m                       

+                                                                                                Vsin=1m                                          {задание параметров}               

.model       Rt                                   Res                                 (TC1=0.001

+ R=1 dev/gauss 10%)                                                                                                                     {задание температурного коэффициента для Rb  и Rс}

.model       KT3102E  NPN (IS=5.258f ISE =28.21n ISC= 21.2p NE =7.428 NC=2

+ BF={BF} dev/gauss 0.25 BR=2.713 CJE=11.3p CJC=3.638p TF=.6115n TR=57.7n

+ RB= 52 RC=1.65 RBM=0 VA=86 VAR=25

+ MJE=0.2593 MJC=0.3085 MJS=0.33

+ IKF=0.4922 IKR=0.25 ITF=0.52 XTF=2 XTB =1.5 VTF=80 VJS=0.65)       {в модели транзистора указываем разброс коэффициента усиления 25%, остальные параметры постоянны и взяты из библиотеки}

Vdc            pwr                                 0                                     18                                                      {постоянный источник напряжения}

Vac            ss                                    0                                     sin                                                      0

+                 {Vsin}                           1k                                   1m                                                     {переменный источник напряжения}

Rss             ss                                    in                                    .1                                                        ;ideal condition {сопротивления источника}

Q1              c                                     b                                     0                                                         KT3102E {биполярный транзистор}

;Rb             pwr                                 b                                     Rt                                                       1.3meg      {сопротивление базы}

;Rc             pwr                                 c                                      Rt                                                       1.8k            {сопротивление коллектора}

Rb              pwr                                 b                                     1.3meg                                              {сопротивление базы, при Rt = const}

Rc               pwr                                 c                                     1.8k                                                   {сопротивление коллектора, при Rt = const}

Cin             in                                    b                                     1.2u                                                   {разделительная ёмкость на входе}

Cout           c                                     out                                 1.2u                                                   {разделительная ёмкость на выходе}

Ccor           pwr                                 c                                     300p                                                  {корректирующая ёмкость}

Похожие материалы

Информация о работе