непосредственно в кожухе аппаратуры и некоторые радиоэлементы, либо радиаторы являются самостоятельной конструкцией, применяемой для отвода тепла в мощных полупроводниковых приборах, интегральных микросхемах, СВЧ- приборах, тепловых трубах и т.д.
Назначение радиатора состоит в значительном снижении теплового сопротивления между корпусом прибора и окружающей средой, а следовательно, в уменьшении перегрева прибора. Обеспечение допустимого теплового режима приборов увеличивает их надёжность и время безотказной работы.
Для современной РЭА характерна тенденция уменьшения габаритов при возрастании её мощности, что приводит к необходимости создания эффективных малогабаритных теплоотводов. За время развития радиоэлектроники было разработано большое количество различных типов радиаторов. Широкое применение получили радиаторы, различающиеся по виду площади поверхности теплообмена. Это: 1- пластинчатые, 2- ребристые, 3- петельно-проволочные, 4- жалюзийные, 5- пластинчато (игольчато) – штыревые радиаторы [1] .
Конструкции названных
радиаторов зависят от вида конвекции: естественным путём или вынужденным с
помощью нагнетателей. Если для названных радиаторов пяти типов принять одинаковую
площадь основания , задать перегрев радиатора
относительно температуры окружающей среды
и
скорость воздушного потока равной
, то мощность рассеиваемого
теплового потока
для радиаторов распределена в
порядке увеличения
, как на рис.1.1 [1].
Рис.1.1
При вынужденной конвекции рассеиваемая мощность радиатора увеличивается и его можно сделать более компактным. По способу изготовления радиатора разделяются на конструкции, выполненные штамповкой, литьем, фрезерованием и полученные путём набора отдельных пластин.
Чтобы рассчитать
габариты радиатора, необходимо осуществить его тепловой расчёт, основанный на
анализе тепловой модели источника, тепловой энергии и радиатора. Рассмотрим в
качестве в качестве источника тепловой энергии полупроводниковый прибор (ППП).
Тогда тепловая модель, полученная методом тепловой аналогии, будет представлена
тепловой схемой на рис.1.2. По данной схеме P-мощность,
выделяемая ППП; - температуры окружающей среды,
коллекторного перехода, корпуса прибора и радиатора;
-
тепловые сопротивления между переходом и корпусом, корпусом и средой, корпусом
и радиатором, радиатором и средой.
Рис.1.2
Так как поверхность
радиатора практически всегда значительно больше поверхности ППП, то можно
считать, что >>
. Тогда общее тепловое сопротивление
между переходом и окружающей средой определяется следующим образом:
(1.1)
Тепловое сопротивление зависит от качества теплового контакта
между транзистором и радиатором. При плотном прилегании прибора к радиатору
=0.5…1 К/Вт. Наличие теплопроводящей смазки
и прокладок из металлической фольги
уменьшается до значений
0.1...0.5 К/Вт. Если между прибором и радиатором находятся диэлектрические
прокладки, то
=1.6…2.7 К/Вт для слюды толщиной
от 0.06 до 0.41 мм и
=0.06…1 К/Вт для лавсановых прокладок.
Тепловые сопротивления
зависят от типа ППП и лежат в
пределах
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.