Анализ конструкции запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

Лабораторная работа №4

 Студента ЗВФ гр. Рз-51 Рашкина А.Н.

Анализ конструкции ЗУ на ЦМД.

Цель работы: изучение работы ЗУ на ЦМД как устройств функциональной электроники, а также знакомство с его организацией и конструктивно-технологическим решением основных элементов и узлов.

Вариант 3.

1.  Выбираем в соответствии с таблицей 4.4 отношение l/h.

l/h=0,23

2.  По графикам функции F(d/h), So(d/h), S₂(d/h) определяем диапазон значений d/h, проведя горизонтальную прямую из точки с заданным значением l/h до пересечения с кривыми So(d/h), S₂(d/h), соответственно dо/h d₂/h.

dо/h =0,88 и d₂/h=2,6

3.  Восстановим перпендикуляр из точек dо/h d₂/h до пересечения с кривой F(d/h), определим значения F(dо/h) и F(d₂/h).

F(dо/h) = 0,51 и F(d₂/h) = 0,9

4.  По найденным значениям, используя уравнение (1) находим значение критических полей Ho/M b H₂/M, а затем среднее значение Нб/М

l/h+ (d/h)(Н/М) - F(d/h)=0   (1)

Н/М=(F(d/h)- l/h)/ (d/h)       (2)

Ho/M= =(F(dо/h)- l/h)/ (dо/h)= (0,51-23)/0,88=0,318

H₂/M= =(F(d₂/h)- l/h)/ (d₂/h)= (0,9-0,23)/2,6=0,257

Нб/М=(Ho/M +H₂/M)/2=(0,318+0,257)/2=0,287

5.  На построенном графике проведем прямую из точки, соответствующей величине l/h. Тангенс угла наклона м равен

F(d/h)=arctg(0,287)=16,03

По номинальному значению Нб/М определяем номинальное значение d/h. Для этого проводим до пересечения с функцией прямую с наклоном arctg (Нб/М).

d/h=2,21

6.  Выбираем конкретное значение толщины пленки h=2мкм. По значению h определяем необходимые значения l, d (определяются диапазон значений и номинальная величина):

l =0,19*2=0,38мкм

dо=0,55*2=1,1 мкм

d₂=1,85*2=3,7 мкм

d=1,15*2=2,3 мкм

7.  Выбираем оптимальные значения А (постоянная обменного взаимодействия), Q (фактор качества) и далее по формулам определяем значение Кодн (постоянная одноостной анизотропии), М (намагниченность насыщения).

А=2,2*10^-12Дж/м³

Q=3,2

Кодн =4*9,4*2,2*10^-12/0,1444=1,46*10³ Дж/м³

М=27,9*10³ А/м

Определяем значение поля смещения Нб и поля управления Нупр:

Нб=0,442*27,9*10³ =12,33*10³ А/м

Нупр=0,06*27,9*10³+10=16,74 А/см

8.  Выбираем материал для монокристаллической пленки феррит-граната (МПФГ).

В качестве пленки МПФГ больше всего подходит материал

Вывод: в результате проделанной работы была изучена работа ЗУ на ЦМД как устройства функциональной электроники. В соответствии с вариантом задания были определены диапазон значений диаметра ЦМД, номинальный диаметр ЦМД и характеристическая длина материала. Рассчитан Кодн постоянная одноостной анизотропии, намагниченность насыщения М, значение поля смещения Нб и поля управления Нупр. По рассчитанным значениям был подобран соответствующий материал.