Ждущий мультивибратор. Синхронизированный мультивибратор

Страницы работы

4 страницы (Word-файл)

Фрагмент текста работы

прежнему определяется скоростью разряда С2), то и следующее самостоятельное опрокидывание схемы (в момент t3 – рис. 5.6,б) произойдет на время раньше. В результате напряжение на базе запертого транзистора T1  достигнет низкого уровня к моменту поступлении носимого импульса, которым схема вновь опрокинется преждевременно. Аналогичное состояние наступит в схеме к моменту прихода девятого,   десятого и всех последующих импульсов, т. е. схема начнет работать в режиме синхронизации. При этом продолжительность запертого состояния транзистора Т1 и период колебаний в целом с момента времени t2 определяются частотой поступающих синхроимпульсов.

Устойчивая синхронизация происходит, когда частота следования синхроимпульсов ƒсин больше собственной частоты колебаний мультивибратора ƒ. Обычно ƒсин = (1,2 ÷ 1,4)ƒ.

В момент времени t1 включения источника синхроимпульсов (см. рис. 5.6,6) соотношение фаз синхронизующего и синхронизируемого напряжений случайное. Поэтому в схеме происходит переходный процесс, который в рассмотренном делился в течение времени t1 ÷ t1. Амплитуда синхроимпульсов существенно влияет на длительность этого процесса. При большой амплитуде синхроимпульсов напряжение на базе запертого транзистора уже в момент t1 оказалось бы ниже нуля и схема засинхронизировалась первым синхроимпульсом.

Стабильность частоты синхронизируемого мультивибратора зависит от крутизны переднего фронта  синхроимпульса.

Чем больше крутизна, тем меньше при изменении температуры изменяется период синхронизируемых колебаний.

В случае, когда ƒсин >> ƒ, мультивибратор работает в режиме деления частоты, т. е. частота колебаний на выходе мультивибратора в целое число раз меньше частоты следования синхроимпульсов. Пусть первый синхроимпульс воздействует на схему (рис. 5.6, а) в момент времени t1(рис. 5.6, в). Второй синхроимпульс отпирает транзистор Т1 раньше, чем он открылся бы самостоятельно. Начиная с этого момента каждый третий синхроимпульс (5, 8, 11-й и т. д.) опрокидывает схему, вследствие чего период вынужденных колебаний мультивибратора , а частота   .

Отношение частоты синхронизирующего напряжения к частоте вынужденных колебаний мультивибратора называют коэффициентом деления частоты: n = ƒсин / ƒвын.

Коэффициент nи период Tвынсущественно зависят от амплитуды синхроимпульсов. Если амплитуда синхроимпульсов была бы больше показанной на рис. 5.6, в, то транзистор T1 открылся бы первым импульсом и далее отпирался каждым вторым импульсом. В этом случае n = 2 и Tвын = 2Тсин.

Для получения большого nнеобходимо уменьшать амплитуду синхроимпульсов. Однако при небольшой амплитуде синхроимпульсов на коэффициенте деления может сказаться нестабильность собственных колебаний мультивибратора: при изменении температуры изменится крутизна кривой разряда хронирующего конденсатора и. амплитуда выбранного синхроимпульса окажется недостаточной для опрокидывания схемы; она опрокинется следующим синхроимпульсом, т. е. коэффициент деления окажется больше требуемого.

Практически коэффициент деления n выбирают не более 5 – 6. Для получения большего коэффициента деления применяют несколько релаксационных делителей, включенных последовательно. Их коэффициенты деления п1 , п2 , п3 , ... обеспечивают общий заданный коэффициент п = п1п2п3 . . .

Пример 5.1. Рассчитать транзисторный мультивибратор в автоколебательном режиме по следующим данным: амплитуда Um= 10 В, длительность среза импульса tc ≤ 0,02 tи, частота повторения импульсов ƒ=10 кГц, максимальная температура t= 40°C, время восстановления схемы tв ≤ 0,2 tи.

1. Пользуясь выражением (5.6), определяем напряжение источника питания

.

В соответствии с данными возьмем

.

2. Выбираем транзистор, параметры которого должны удовлетворять, условиям (5.3), (5.4) и (5.5):

   и   .

В соответствии с заданием транзистор должен иметь:

   и

Выбираем по справочнику транзистор ГТ115Б, для которого: Uкб max = 30 В, Iк max = 30 мА, Uкб max = 30 В; ƒα ≥ 1 мГц, β = 20 ÷ 80, Iк 0  max  = 40 мкА (до температуры t = 45 °С).

У выбранного транзистора βср = 50, ƒβ ƒα /( β + 1) ≈ 20кГц.

3.  Используя выражения (5.7)  и (5.8),  определяем  сопротивление Rк:

Выбираем по ГОСТу Rк = 1 кОм.

4. Находим сопротивление Rб.. Определяем его по среднему значению βср = 50 и коэффициенту насыщения S = 2, в соответствии с (5.9):

Выбираем по ГОСТу Rб= 24 кОм.

При этом базовый ток отпертого транзистора

что превышает Iк 0 max больше, чем на порядок, благодаря чему схема

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Конспекты лекций
Размер файла:
1 Mb
Скачали:
0