ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Кафедра радиопередающих устройств и радиотехнических систем
Отчет поЛабораторной работе № 1
«Исследование генератора с внешним возбуждением»
Выполнил: Проверил:
студент гр. № 841201
Молодкин Д.Ф. Ползунов В.В.
Минск 2000
1)Цель работы:
- Ознакомиться с физическими процессами, происходящими в генераторе с внешним возбуждением (ГВВ).
- Исследовать причины, влияющие на форму входных и выходных токов.
- Изучить влияние нагрузки на напряжённость режима ГВВ.
2)Схема лабораторного макета:
3) Порядок выполнения работы:
1) Устанавливаем исходный критический режим работы ГВВ (см. таблицу 1).
2) Исследуем влияние напряжения смещения Еб, возбуждения Uв и питания коллектора Ек на напряженность режима и угол отсечки коллекторного тока Q (см. таблицу 1). Соответствующие графики зависимостей Iк=¦(Еб), Iб=¦(Еб), Iк=¦(Uв), Iб=¦(Uв), Iк=¦(Ек) и Iб=¦(Ек) представлены на рисунках.
Исследуемая позиция |
Режим |
Ек, В |
Еб, В |
Uв, В |
Uн, В |
Iк, мА |
Iб, мА |
Изменение Q |
Форма импульса |
-- |
КР |
10 |
0,5 |
0,12 |
10 |
64 |
1,5 |
79,2° |
|
Еб |
НР |
10 |
0,45 |
0,11 |
4,9 |
27 |
0,6 |
43,2° |
|
ПР |
10 |
0,53 |
0,1 |
11 |
87 |
1,9 |
90° |
||
Uв |
НР |
10 |
0,56 |
0,08 |
6,5 |
46 |
1,0 |
64,8° |
|
ПР |
10 |
0,48 |
0,14 |
11,5 |
72 |
1,8 |
86,4° |
||
Ек |
НР |
14 |
0,49 |
0,1 |
10 |
69 |
1,5 |
72,0° |
|
ПР |
6,5 |
0,49 |
0,12 |
9 |
60 |
1,5 |
100,8° |
По полученным экспериментальным данным строим графики зависимостей: i k = f(Eб), i б = f(Eб), :
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Графики зависимостей: i k = f(Uв), i б = f(Uв),
|
|
|
|
Графики зависимостей: i k = f(Eк), i б = f(Eк), Q = f(Eк):
|
|
|
|
3) Исследуем влияние нагрузки активного элемента на напряженность режима ГВВ
Таблица 2
Полож. перекл |
Ik mA |
Iб mA |
Uk B |
ik1 mA |
Форма импульса |
Напряжение режима |
1 |
66 |
1.6 |
10 |
16 |
ПР |
|
2 |
75 |
1.6 |
10.5 |
16.5 |
ПР |
|
3 |
78 |
1.55 |
10.5 |
16.3 |
КР |
|
4 |
82 |
1.54 |
10.2 |
16.0 |
НР |
|
5 |
90 |
1.54 |
10 |
15.5 |
НР |
|
6 |
92 |
1.54 |
9.5 |
14 |
НР |
По полученным данным построим графики зависимостей: i k = f(R), i б = f(R)
|
|
|
|
3.2 Вывод: При увеличении Еб происходит рост коллекторного тока iк и базового iб токов, поскольку тем самым мы увеличиваем напряжение Uбэ и больше открываем транзистор, что влечет за собой значительное увеличение угла отсечки Q;
при увеличении Uв наблюдается рост коллекторного и базового тока, потому что с увеличением амплитуды входного напряжения Uв транзистор открывается, что приводит к росту iк и iб. Однако увеличение Uв приводит лишь к незначительному росту угла отсечки Q;
при уменьшении Ек происходит уменьшение коллекторного тока iк и незначительное увеличение базового тока iб. Происходит это в следствии того что с увеличением Ек режим транзистора переходит в область насыщения, т.е. ГВВ работает в перенапряженном режиме. Увеличение Q при этом незначительно.
3.3 Вывод: При уменьшении сопротивления нагрузки при постоянных Ек, Uв, Еб происходит увеличение коллекторного тока и как следствие, уменьшение напряжения Uкэ. При этом ожидалось очень незначительное уменьшение базового тока iб.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.