Исследование генератора с внешним возбуждением. Вариант 1

      БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

                 ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Кафедра радиопередающих устройств и радиотехнических систем

Отчет поЛабораторной работе № 1

«Исследование генератора с внешним возбуждением»

Выполнил:                                                                                       Проверил:

студент гр. № 841201                                           

Молодкин Д.Ф.                                                                              Ползунов В.В.

  Минск 2000

1)Цель работы:

-  Ознакомиться с физическими процессами, происходящими в генераторе с внешним возбуждением (ГВВ).

-  Исследовать причины, влияющие на форму входных и выходных токов.

-  Изучить влияние нагрузки на напряжённость режима ГВВ.                                                  

2)Схема лабораторного макета:

           Схема электрическая принципиальная, лабораторного макета

3) Порядок выполнения работы:

1) Устанавливаем исходный критический режим работы ГВВ (см. таблицу 1).

2) Исследуем влияние напряжения смещения Е_б, возбуждения U_в и питания коллектора Е_к на напряженность режима и угол отсечки коллекторного тока Q (см. таблицу 1). Соответствующие графики зависимостей I_к=¦(Е_б), I_б=¦(Е_б), I_к=¦(U_в), I_б=¦(U_в), I_к=¦(Е_к) и I_б=¦(Е_к) представлены на рисунках.

Таблица 1

По полученным экспериментальным данным строим графики зависимостей:  i _k = f(E_б), i _б = f(E_б), :

Графики зависимостей:  i _k = f(U_в), i _б = f(U_в),

Графики зависимостей:  i _k = f(E_к), i _б = f(E_к), Q = f(E_к):

3)  Исследуем влияние нагрузки активного элемента на напряженность режима ГВВ

                                                                                                    Таблица 2

По полученным данным построим графики зависимостей:  i _k = f(R), i _б = f(R)

3.2 Вывод: При увеличении Е_б происходит рост коллекторного тока i_к  и базового i_б токов, поскольку тем самым мы увеличиваем напряжение U_бэ и больше открываем транзистор, что влечет за собой значительное увеличение угла отсечки Q;

при увеличении U_в наблюдается рост коллекторного и базового тока, потому что с увеличением амплитуды входного напряжения U_в транзистор открывается, что приводит к росту i_к и i_б. Однако увеличение U_в приводит лишь к незначительному росту угла отсечки Q;

при уменьшении Е_к  происходит уменьшение коллекторного тока i_к и незначительное увеличение базового тока i_б. Происходит это в следствии того что с увеличением Е_к режим транзистора переходит в область насыщения, т.е. ГВВ работает в перенапряженном режиме. Увеличение Q  при этом незначительно.

3.3 Вывод:   При    уменьшении   сопротивления    нагрузки   при   постоянных Е_к, U_в, Е_б происходит увеличение коллекторного тока и как следствие, уменьшение напряжения U_кэ. При этом ожидалось очень незначительное уменьшение базового тока i_б.