Определение ширины полосы пропускания высокочастотного тракта. Распределение заданной неравномерности усиления в полосе пропускания, страница 4

где Ψ=0,5…0,8 – коэффициент шунтирования контура транзистором;

Qк – конструктивная добротность (Qк =90…140).

     Выбираем Qэ=30.

     При уменьшении частоты настройки происходит увеличение добротности:

Qэfmin=30,883<QП=367,5, а это означает, что расчет произведен верно и можно окончательно принять выбранные значения Qэ=30 и n=2.

     Для выбранных Qэи nв худших точках диапазона произведем контрольный расчет избирательности по зеркальному каналу:

    Произведем расчет для поддиапазона КВ3:

    σзк=16дБ=6,31раза,

    σп=2дБ=1,25раза.

    Число контуров n=2.

    Определим максимально допустимую добротность контура обеспечивающую заданное ослабление на краях полосы:

     Теперь определим минимально допустимую добротность, обеспечивающую заданную избирательность по зеркальному каналу:

где хзк=f*зк/f*=(f*+2fпч)/f*=(7255+2*465)/7255=1,13, для поддиапазона КВ3 f*=7255кГц.

     Выберем эквивалентную добротность контура Qэ, удовлетворяющую условиям:

Qэ<QП,   Qэ>Qи,   Qэ≤ Qэк=ΨQк=0.5*140=70;

где Ψ=0,5…0,8 – коэффициент шунтирования контура транзистором;

Qк – конструктивная добротность (Qк =90…140).

     Выбираем Qэ=30.

     При уменьшении частоты настройки происходит увеличение добротности:

Qэfmin=30,6<QП=441,875, а это означает, что расчет произведен верно и можно окончательно принять выбранные значения Qэ=30 и n=2.

     Для выбранных Qэи nв худших точках диапазона произведем контрольный расчет избирательности по зеркальному каналу:

Произведем расчет для поддиапазона КВ4:

    σзк=16дБ=6,31раза,

    σп=2дБ=1,25раза.

    Число контуров n=2.

    Определим максимально допустимую добротность контура обеспечивающую заданное ослабление на краях полосы:

     Теперь определим минимально допустимую добротность, обеспечивающую заданную избирательность по зеркальному каналу:

где хзк=f*зк/f*=(f*+2fпч)/f*=(9640+2*465)/9640=1,11, для поддиапазона КВ4 f*=9640кГц.

     Выберем эквивалентную добротность контура Qэ, удовлетворяющую условиям:

Qэ<QП,   Qэ>Qи,   Qэ≤ Qэк=ΨQк=0.5*140=70;

где Ψ=0,5…0,8 – коэффициент шунтирования контура транзистором;

Qк – конструктивная добротность (Qк =90…140).

     Выбираем Qэ=30.

     При уменьшении частоты настройки происходит увеличение добротности:

Qэfmin=30,8<QП=581,875, а это означает, что расчет произведен верно и можно окончательно принять выбранные значения Qэ=30 и n=2.

     Для выбранных Qэи nв худших точках диапазона произведем контрольный расчет избирательности по зеркальному каналу:

Произведем расчет для поддиапазона КВ5:

    σзк=16дБ=6,31раза,

    σп=2дБ=1,25раза.

    Число контуров n=2.

    Определим максимально допустимую добротность контура обеспечивающую заданное ослабление на краях полосы:

     Теперь определим минимально допустимую добротность, обеспечивающую заданную избирательность по зеркальному каналу:

где хзк=f*зк/f*=(f*+2fпч)/f*=(118000+2*465)/11800=1,07, для поддиапазона КВ5 f*=9640кГц.

     Выберем эквивалентную добротность контура Qэ, удовлетворяющую условиям:

Qэ<QП,   Qэ>Qи,   Qэ≤ Qэк=ΨQк=0.5*140=70;

где Ψ=0,5…0,8 – коэффициент шунтирования контура транзистором;

Qк – конструктивная добротность (Qк =90…140).

     Выбираем Qэ=30.

     При уменьшении частоты настройки происходит увеличение добротности:

Qэfmin=30,8<QП=716,875, а это означает, что расчет произведен верно и можно окончательно принять выбранные значения Qэ=30 и n=2.

     Для выбранных Qэи nв худших точках диапазона произведем контрольный расчет избирательности по зеркальному каналу: