Определение ширины полосы пропускания высокочастотного тракта. Распределение заданной неравномерности усиления в полосе пропускания, страница 3

Qэ<QП,   Qэ>Qи,   Qэ≤ Qэк=ΨQк=0.5*140=70;

где Ψ=0,5…0,8 – коэффициент шунтирования контура транзистором;

Qк – конструктивная добротность (Qк =90…140).

     Выбираем Qэ=10.

     При уменьшении частоты настройки происходит увеличение добротности:

Qэfmin=18,264<QП=19,983, а это означает, что расчет произведен верно и можно окончательно принять выбранные значения Qэ=10 и n=2.

     Для выбранных Qэи nв худших точках диапазона произведем контрольный расчет следующих показателей:

ослабление на краях полосы пропускания:

избирательность по соседнему каналу:

избирательность по зеркальному каналу:

избирательность по промежуточной частоте:

где хпч=fпч /f**=465/280=1.66;   f**=280кГц для диапазона ДВ.

    Произведем расчет для диапазона СВ:

    σзк=36дБ=63раза,

    σп=3дБ=1,14раз.

    Число контуров n=2.

    Определим максимально допустимую добротность контура обеспечивающую заданное ослабление на краях полосы:

     Теперь определим минимально допустимую добротность, обеспечивающую заданную избирательность по зеркальному каналу:

где хзк=f*зк/f*=(f*+2fпч)/f*=(1000+2*465)/1000=1,93,  для диапазона СВ f*=1000кГц.

     Выберем эквивалентную добротность контура Qэ, удовлетворяющую условиям:

Qэ<QП,   Qэ>Qи,   Qэ≤ Qэк=ΨQк=0.5*140=70;

где Ψ=0,5…0,8 – коэффициент шунтирования контура транзистором;

Qк – конструктивная добротность (Qк =90…140).

     Выбираем Qэ=10.

     При уменьшении частоты настройки происходит увеличение добротности:

Qэfmin=18372<QП=23,818, а это означает, что расчет произведен верно и можно окончательно принять выбранные значения Qэ=10 и n=2.

     Для выбранных Qэи nв худших точках диапазона произведем контрольный расчет следующих показателей:

ослабление на краях полосы пропускания:

избирательность по соседнему каналу:

избирательность по зеркальному каналу:

избирательность по промежуточной частоте:

где хпч=fпч /f**=465/560=0,83;   f**=560кГц для диапазона СВ.

    Произведем расчет для поддиапазона КВ1:

    σзк=16дБ=6,31раза,

    σп=2дБ=1,25раза.

    Число контуров n=2.

    Определим максимально допустимую добротность контура обеспечивающую заданное ослабление на краях полосы:

     Теперь определим минимально допустимую добротность, обеспечивающую заданную избирательность по зеркальному каналу:

где хзк=f*зк/f*=(f*+2fпч)/f*=(4975+2*465)/4975=1,19, для поддиапазона КВ1 f*=4975кГц.

     Выберем эквивалентную добротность контура Qэ, удовлетворяющую условиям:

Qэ<QП,   Qэ>Qи,   Qэ≤ Qэк=ΨQк=0.5*140=70;

где Ψ=0,5…0,8 – коэффициент шунтирования контура транзистором;

Qк – конструктивная добротность (Qк =90…140).

     Выбираем Qэ=10.

     При уменьшении частоты настройки происходит увеличение добротности:

Qэfmin=12,718<QП=67,705, а это означает, что расчет произведен верно и можно окончательно принять выбранные значения Qэ=10 и n=2.

     Для выбранных Qэи nв худших точках диапазона произведем контрольный расчет избирательности по зеркальному каналу:

    Произведем расчет для поддиапазона КВ2:

    σзк=36дБ=63раза,

    σп=2дБ=1,26раз.

    Число контуров n=2.

    Определим максимально допустимую добротность контура обеспечивающую заданное ослабление на краях полосы:

     Теперь определим минимально допустимую добротность, обеспечивающую заданную избирательность по зеркальному каналу:

где хзк=f*зк/f*=(f*+2fпч)/f*=(6102+2*465)/4975=1,152, для поддиапазона КВ2 f*=6102кГц.

     Выберем эквивалентную добротность контура Qэ, удовлетворяющую условиям:

Qэ<QП,   Qэ>Qи,   Qэ≤ Qэк=ΨQк=0.5*140=70;