Еп=24в
β=25
Краз=12
Iн=12мА
Для расчета используем микросхему К155ЛА3
Ее номинальные параметры:
|
Тип Элемента |
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
|
|
|
Константы используемые в расчете схемы:
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
Тепловой потенциал
мВ

![]()

1) Расчет токов на транзисторе VT4:
Ток коллектора:

Ток базы:
![]()
Ток эмиттера:
![]()
2) Расчет сопротивления RН:

Выбираем сопротивление из ряда Е24:
![]()
Расчет мощности этого резистора:
![]()
![]()
3) Расчет сопротивления R4:

Выбираем сопротивление из ряда Е24:
![]()
Расчет мощности этого резистора:
![]()
![]()

4) Расчет сопротивления R5:
R5 =150 Ом
![]()
Проверка правильности выбора резистора R5:
![]()
![]()
![]()
Условие выполняется, следовательно резистор подобран правильно.
5) Расчет токов на транзисторе VT6:
Ток коллектора:

Ток базы:

Ток эмиттера:
![]()
![]()
![]()
Так как ток проходящей
через резистор R7 создает
падение напряжение, если убрать из схемы резистор R8, то падение напряжение
, и транзистор может открыться, чтобы этого
не допустить, нужно ставить резистор R8
для того чтобы уменьшить падение напряжение и ток проходящий через него
составлял не менее чем 20%Iб7.![]()

![]()
Выбираем сопротивление из ряда Е24 таким, чтобы обеспечить надежное запирание транзистора VT5.
По рассчитанному значению выбираем резистор с номинальным сопротивлением
Расчет мощности этого резистора:
![]()
По мощности выберем резистор, это резистор С2-23.
Номинальная мощность - ![]()
при насыщенном состоянии транзистора VT5:
![]()
Пусть
, тогда ![]()
![]()
из проверки условия видно
что,
транзистор открыт.Поэтому
подбираем резистор, таким образом, чтобы условие
выполнялось.
![]()
9) Расчет тока IR7 и сопротивления R7:
![]()

Аналогично из предыдущего, из ряда Е-24 выбираем резистор с номинальным сопротивлением.
![]()
Расчет мощности этого резистора:
![]()
По мощности выберем резистор, это резистор С2-23.
Номинальная мощность -
![]()
(По рисунку)
При
Расчет тока IR7

Напряжение ![]()
При
Расчет тока 
Расчет напряжения ![]()
Результаты проверки показывают, что транзистор VT5 при
закрыт, а при
транзистор открыт.
Для определения IR3 зададим сопротивление
для ограничения тока коллектора. Транзистор
VT3 открыт, транзисторы VT2 и VT5 –закрыты.
(По рисунку 2)
Напряжение на диоде VD:


Из предыдущей схемы на
выходе схемы логический ноль
на базе
транзистора VT5 должная быть логическая
единица.
(По рисунку 3)
Расчет тока IR7:
Расчет тока коллектора IК5:
![]()
Расчет тока базы Iб6:

Расчет тока на резисторе R6:
![]()
Расчет сопротивления R6:

13) Расчет тока эмиттера на транзисторе VT2:
![]()
(По рисунку 4)
или


Расчет тока базы транзистора VT2:
(По рисунку 5)
Расчет тока базы транзистора VT1:

![]()

Расчет сопротивления R1:

(По рисунку 6)


Условие перехода из активного режима в режим насыщения

![]()
При ![]()


![]()


(По рисунку 7)


![]()


Выбираем транзистор малой мощности по максимальному току коллектора (IН)
,
подходит транзистор КТ396А9
Его номинальные параметры:
|
Тип элемента |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ396А9 |
40 |
10 |
100 |
100 |
30…250 |
0,5 |
2,100 |


Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.