ОГЛАВЛЕНИЕ
1. Задание 2
2. Краткое описание сложного инвертора 2
3. Исходные данные 3
4. Расчет схемы 3
5. Расчет токов на транзисторе VT4 3
6. Расчет сопротивления Rн 3
7. Расчет сопротивления R4 3
8. Расчет сопротивления R5 4
9. Расчет токов на транзисторе VT6 4
10. Расчет тока IR8 4
11. Расчет сопротивления R8 4
12. Проверка условия запирания транзистора VT6 5
13. Расчет тока IR7 и сопротивления R7 5
14. Проверка правильности выбора резисторов 5
15. Расчет тока IR3 5
16. При определим токи и сопротивление R6 на транзисторе VT5. 6
17. Расчет тока IR2 и сопротивления R2 на транзисторе VT2 6
18. Расчет токок и сопротивление R1 и на транзисторе VT1 7
19. Выходная характеристика 7
20. Входная характеристика 8
21. Выбор транзистора 9
22. Список литературы 10
ВАРИАНТ №5
Рассчитать элементы схемы, обеспечивающие ее работу при токе нагрузки Iн=12мА. DD1 является элементом 155 серии. Коэффициент разветвления принять равным 12. Принять значение β=25 для всех транзисторов в схеме. Построить выходную характеристику сложного инвертора.
Если на вход транзистора VT1 поданы высокие уровни напряжения (логическая единица), то переходы эмиттер-база транзистора VT1 смещены в обратном направлении и ток через переход коллектор-база втекает в базу транзистора VT2 и далее в базу транзистора VT5, что приводит к насыщению транзисторов VT2 и VT5. При этом МЭТ работает в инверсном активном режиме, т.к. все переходы эмиттер-база смещены в обратном направлении, а переход коллектор-база смещены в прямом направлении. Транзистор VT3 закрывается, т.к. напряжение между коллекторами транзисторов VT2 и VT5 оказывается ниже, чем суммарный порог отпирания транзистора VT3 и смещающего диода VD. Основное назначение смещающего диода состоит в надежном запирании транзистора VT3 при насыщении транзисторов VT2 и VT5. В результате выходное напряжение Uкн(VT5) соответствует уровню логического нуля. Когда напряжение хотя бы на одном из выходов равно низкому уровню напряжения (логический ноль), то соответствующий переход эмиттер-база МЭТ смещается в прямом направлении и весь ток, протекающий через сопротивлении R1, поступает во входящую цепь схемы и МЭТ входит в насыщении, коллекторный ток МЭТ уменьшается. При этом напряжение на базе транзистора VT2 составляет сотые доли вольта. Поэтому транзисторы VT2 и VT5 закрыты.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.