Зависимость tg(δ) диэлектрика от напряжения в сильных электрических полях

Страницы работы

Содержание работы

Министерство образования и науки РФ

Федеральное агентство по образованию

Новосибирский государственный технический университет

Кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники

Лаборатория «Электрорадиоматериалов»

Лабораторная работа № 4

ЗАВИСИМОСТЬ tgδ ДИЭЛЕКТРИКА ОТ НАПРЯЖЕНИЯ

В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ

ВЫПОЛНИЛ:  Смирнов И.А.  Спасенкин А.В.

ФАКУЛЬТЕТ:  РЭФ

ГРУППА:  РМС7-71

ДАТА ВЫПОЛНЕНИЯ: 14.03.2015

ОТМЕТКА О ВЫПОЛНЕНИИ:

ПРЕПОДАВАТЕЛЬ:  Новиков И.Л.

НОВОСИБИРСК 2015

Цель работы:

1. Экспериментальное определение зависимости tg d от U для диэлектрика с газовыми включениями.

2. Определение напряжения, при котором наступает  ионизация газа в порах.

3. Установление влияния напряжения на емкость и диэлектрическую проницаемость диэлектрика.

Схема измерения:

PH   Tр                                                                      Z0 

Z2  Cх                     C0

U                                                                                                     

НИ                                        

                                                                   R3    R4                                                                       

Р1                                                Z4                    Р2

                                                                         Z3                                                           

ЭКРАН

Основные рабочие формулы и входные данные:

 (k = 104 Ом)  C0 = 50 (пФ)

,

Толщина образца - 4 мм, радиус образца – 50 мм.

Таблицы измерений:

                                                                                           Таблица 9

U, кВ

R3, Ом

tg d

Cх

e

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

3592

3592

3495

3492

3492

2000

1801

1600

1505

1437

5

5

5

5

5

39

35.2

35.1

27.2

27.2

4,43E-11

4,43E-11

4,55E-11

4,56E-11

4,56E-11

7,96E-11

8,84E-11

9,95E-11

1,05E-10

1,10E-10

2,55

2,55

2,62

2,62

2,62

4,58

5,09

5,73

6,09

6,38

Основные зависимости:

Рис. 1 Зависимость tg δ от напряжения сложного диэлектрика

Рис. 2 Зависимость диэлектрической проницаемости сложного диэлектрика от напряжения

Вывод: В работе представлены измерения диэлектрических потерь сложного диэлектрика. Установлено, что тангенс угла диэлектрических потерь зависит от напряжения , до достижения напряжения ионизации пор  tg(δ) постоянен и равен 5%, после происходит движение по параболе имеющий максимум на tg(δ)  36%  при U=6,5 кВ. Это указывает, что сложный диэлектрик представляет собой изолятор, составленный из двух стеклянных пластин с газовой прослойкой между ними. Из зависимости tg(δ) от напряжения сложного диэлектрика получено напряжение начала ионизации пор Uи.Он равен 4,5 кВ. Диэлектрическая проницаемость образца зависит от напряжения , до достижения напряжения ионизации пор ε постоянен и равен 2,5, после происходит возрастание ε с достижением в точке 10 кВ значения 6,3. 

Похожие материалы

Информация о работе