UK=ξГР·UK0=27,701(B);
IK1=2·PВЫХ/UK=0,098(A);
4) Полезная нагрузка и полное сопротивление, приведенное к ЭГ:
RK=UK/IK1=283,144(Ом);
R′K=RK·rK/(RK+rK)=277,498(Ом);
5) Амплитуда первой гармоники тока ЭГ:
IГ1=IK1·(1+RK/rK)=0,1(А);
6) Крутизна по переходу:
, где
для кремниевых транзисторов температура перехода tП=1200С, тогда
SП=2,948(См);
7) Сопротивление рекомбинации
r=h21Э/SП=100/2,948=33,924(Ом)
8) Крутизна статической характеристики коллекторного тока
, где
r′Б= τОС/СКА= τОС/(СК/3)=5·10-12/3·10-12= 1,667(Ом) – сопротивление базы;
r′Э=0,3· r′Б =0,3·1,667=0,5(Ом) – сопротивление эмиттера, тогда
S=1,162(См);
9) Коэффициент разложения
, где
U′=0,7(В) – напряжение сдвига статической характеристики для кремниевых транзисторов;
ωГР=2π·fГР=2π·400·106=2,512·109(рад/с)-граничная частота;
СЭ=15·10-12(Ф)-емкость эмиттерного перехода;
А=0,65+0,15· ωГР·СЭ/S=0,655;
В=0,67+ ωГР·СЭ/S=0,702 , тогда
γ1=0,932;
10) Для полученного γ1 из [4, приложение 1] находим
g1=1,17; cosθ=-0,766;
11) Амплитуда тока базы
, где
СК=9·10-12(Ф) – емкость коллекторного перехода, тогда
IБ1=0,275 (А);
12) Модуль коэффициента усиления по току, приведенный к ЭГ:
Ki=IK1 / IБ1=0,356;
13) Пиковое обратное напряжение на эмиттере:
uЭбпик=-0,953(В)
14) Составляющие входного сопротивления транзистора первой гармонике:
,
, где
LЭ=1,3·10-9(Гн) – индуктивность эмиттерного вывода;
LБ=3,1·10-9(Гн) – индуктивность базового вывода;
LК=2,5·10-9(Гн) – индуктивность коллекторного вывода
СКА=⅓СК=⅓·9·1012=3·1012(Ф);тогда
rвх1ОЭ=1,235 (Ом);
хвх1ОЭ=2,217(Ом);
15) Коэффициент усиления по мощности
КРоэ=Кi2·RK/rВХ1=29,019;
Так как коэффициент усиления по мощности получился больше принятого в расчете, то ограничимся КР=15, и при настройке будем уменьшать связь между каскадами.
16) Постоянная составляющая коллекторного тока
IK=IГ1/g1(θ)=0,085(А);
17) Мощность, потребляемая от источника питания
Р0=IK·UK0=2,389(Вт);
18) Коэффициент полезного действия
ηК=РВЫХ/Р0=0,567;
19) Входная мощность
РВ=РВЫХ/КР=0,047(Вт);
20) Рассеиваемая мощность
РРАС=Р0-РВЫХ+РВ=1,081(Вт);
21) Составляющие сопротивления нагрузки, приведенные к внешнему выводу коллектора в параллельном эквиваленте:
RH=271,974(Ом);
ХН=116,036(Ом);
1) Выходная цепь согласования (СЦ4):
f=149.975 (МГц)- частота;
RH=50 (Ом) –сопротивление нагрузки;
RВЫХ=24,74(Ом), ХВЫХ=34,675 (Ом)- выходное сопротивление выходного каскада;
Применим П-образную CLC цепь.
R1=24,74 (Ом);
R2=50(Ом);
R0=5 (Ом);
-сопротивление катушки L1;
XL1=9,935(Ом);
-сопротивление катушки L2;
XL2=15(Ом);
XL=XL1+XL2=24,935(Ом)- сопротивление катушки L;
L=XL/2·3.14·f=26,46 (нГн)-индуктивность катушки L;
=12,45(Ом)- сопротивление конденсатора С1;
C1=85,23(пФ)
С учетом реактивности выхода транзистора уменьшаем емкость С1 на
=16,67(Ом)- сопротивление конденсатора С2;
С2=63,67(пФ)
QL=70 – добротность катушки;
=0,933 – КПД согласующей цепи;
QH=QXX·(1-η1)= QL·(1-η1)=4,69 – добротность нагруженного контура;
Ф1=n3·QH·(1-1/n2)=| n=2 |=28,14 – коэффициент фильтрации;
L=20·lg(Ф1)=28,99 (дБ) – ослабление контура;
По техническому заданию дано, что ослабление контура должно быть больше (-60 дБ). Чтобы это обеспечить, а также получить необходимое КПД увеличим количество цепей, включив их последовательно (рис.3).
Рис. 3. Цепь согласования.
L11=26,46 (нГн);
С11=85,23 (пФ);
С21=63,67 (пФ);
Расчет дополнительных контуров ведется аналогично расчету первого контура.
R1=RВХ=50 (Ом);
ХВХ=0 (Ом);
R2=RВЫХ=50 (Ом);
ХВЫХ=0 (Ом);
R0=15 (Ом);
-сопротивление катушки L1;
XL1=22,913(Ом);
-сопротивление катушки L2;
XL2=22,913(Ом);
XL12=XL1+XL2=45,826(Ом)- сопротивление катушки L12;
L12=XL12/2·π·f=48,66 (нГн)-индуктивность катушки L12;
=32,733(Ом)- сопротивление конденсатора С12;
C12=32,44(пФ)
=32,733(Ом)- сопротивление конденсатора С22;
С22=32,44(пФ)
QL=70 – добротность катушки;
=0,958 – КПД согласующей цепи;
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.